XMC4800

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Temp. range

-40°C to +85°/125 °C

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 2

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 3

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 3

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 2

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 3

温度範囲

-40 °C (〜+ 85°/ 125°C)

источник 3

Overview

12 V (high-side switches)

источник 2

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 2

Supply voltage range

3.13 - 3.63 V

источник 1

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 3

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 3

サンプル時間付きの2x 12ビットADC により、高速応答時間とより緊密な制御ループが保証されます。

100 MB (の転送速度 (XMC4300、XMC4800) が可能な EtherCAT スレーブ インターフェース (ECAT))

источник 3

電源電圧範囲

3.13 - 3.63 V

источник 3

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 3

Источники

1. XMC4800

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Temp. range; Supply voltage range

2. XMC4800

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies

3. XMC4800

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: バッテリー絶縁通信; 概要; 車載用MOSFET; 温度範囲; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; サンプル時間付きの2x 12ビットADC により、高速応答時間とより緊密な制御ループが保証されます。; 電源電圧範囲