TO-247 4pin

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

IGBT のスイッチングが高速であるほど、TO-247 4ピンの利点は大きくなります。

1200 V (IGBT用 TO-247PLUS 4ピン パッケージについて)

источник 1

高いアセンブリー歩留まり

600 V (CoolMOS™ P7、TO-247 4ピン パッケージの改良版)

источник 2

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 3

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 1

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 3

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 3

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 1

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 1

TO-247PLUS 1200V IGBT用4ピンパッケージ

1200 V (IGBT用 TO-247PLUS 4ピン パッケージについて)

источник 1

機能と利点

1200 V (IGBT用TO-247PLUS 4ピンパッケージの特長と利点)

источник 1

High assembly yields

600 V (CoolMOS™ P7 with improved version of TO-247 4-pin package)

источник 4

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 3

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 3

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 1

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 1

Источники

1. TO-247 4pin

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: IGBT のスイッチングが高速であるほど、TO-247 4ピンの利点は大きくなります。; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; 概要; TO-247PLUS 1200V IGBT用4ピンパッケージ; 機能と利点; バッテリー絶縁通信; 車載用MOSFET

2. TO-247 4pin

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 高いアセンブリー歩留まり

3. TO-247 4pin

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Silicon carbide MOSFETs bare dies; Overview; Automotive MOSFET

4. TO-247 4pin

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: High assembly yields