System Basis Chip

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

recessive to dominant edge

-12 V (≤ VCM(CAN))

источник 1

and Load regulation

1 mA (< IVCC1 < IVCC1,Ipeak)

источник 1

VCC1

0.3 V

источник 1

(SBC Normal Mode)

6.5 V (< VS < 28V)

источник 1

power mode regulator)

-40 °C (< Tj < 150°C)

источник 1

× VSHS VSHS × VSHS

6 V (< VSHS < 18 V)

источник 1

and Load regulation

1 mA (< IVCC2 < IVCC2,Ipeak)

источник 1

(unpowered device) ICANL,lk

0 V (< VCANH,L ≤ 5V;)

источник 1

WD Setting 7

1000 ms

источник 1

Notes

1. A

источник 1

Period

10ms / 20ms / 50ms / 100ms / 200ms / 1s / 2 s

источник 1

high-power and low-power

-40 °C (< Tj < 150°C;)

источник 1

(VCC3 = 5.0V)

10 mA (< IVCC3 < 300 mA;)

источник 1

WD Setting 2

20 ms

источник 1

low-power and high-power

-40 °C (< Tj < 150°C;)

источник 1

FO3

100 Hz

источник 1

WD Setting 3

50 ms

источник 1

Board

76.2x114.3x1.5 mm

источник 1

WD Setting 6

500 ms

источник 1

and Load regulation

20 mA (< IVCC1 < 90mA)

источник 1

FO2

1.25 Hz

источник 1

Wake-up

≤ +12 V (;)

источник 1

WD Setting 4

100 ms

источник 1

dominant to recessive edge

-12 V (≤ VCM(CAN))

источник 1

Loss of Ground

0 V (< VBUS < 18 V;)

источник 1

Threshold Voltage,

≤ +12 V (;)

источник 1

(VCC3 = 3.3V)

10 mA (< IVCC3 < 300 mA;)

источник 1

(SBC Normal Mode)

6 V (< VS < 28V)

источник 1

(SBC Normal Mode)

8 V (< VS < 18V)

источник 1

WD Setting 1

10 ms

источник 1

On time

0.1ms / 0.3ms / 1.0ms / 10ms / 20 ms (/ OFF at HIGH or LOW)

источник 1

WD Setting 5

200 ms

источник 1

Источники

1. System Basis Chip

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: recessive to dominant edge; and Load regulation; VCC1; (SBC Normal Mode); power mode regulator); × VSHS VSHS × VSHS; (unpowered device) ICANL,lk; • WD Setting 7; Notes; • Period; high-power and low-power; (VCC3 = 5.0V); • WD Setting 2; low-power and high-power; • FO3; • WD Setting 3; Board; • WD Setting 6; • FO2; Wake-up; • WD Setting 4; dominant to recessive edge; Loss of Ground; Threshold Voltage,; (VCC3 = 3.3V); • WD Setting 1; • On time; • WD Setting 5