Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- Automotive MOSFET
- 30 V to 800 V
- Overview
- 12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)
- Overview
- 600 V/1200 V (ultra-soft diodes)
- Overview
- 12 V (high-side switches)
- power conversion efficiency
- 48 V (step down topologies)
- Silicon carbide MOSFETs bare dies
- 400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)
- Webinar
- 48 V (Regulated Solutions for a Greener Data Center)
Источники
- Source-down PQFN
страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: Automotive MOSFET; Overview; power conversion efficiency; Silicon carbide MOSFETs bare dies; Webinar