Sensor interface ASICs

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 2

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 1

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 2

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 1

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 2

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 2

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 1

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 1

Источники

1. Sensor interface ASICs

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; バッテリー絶縁通信; 概要; 車載用MOSFET

2. Sensor interface ASICs

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Silicon carbide MOSFETs bare dies; Automotive MOSFET; Overview