RoboMap
Тема оформления
Модель

S70GL02GT

Производитель: Infineon

76
характеристик
1
источников

О модели

S70GL02GT - модель производителя Infineon.

76 характеристик приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 1 источника, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

(SA) + 002Fh
0000 h ((Refer to JEDEC JESD68-01 or JEP137 specifications))

источник 1

(SA) + 0034h
0000 h

источник 1

Erase
100 mA (100 mA)

источник 1

(SA) + 0037h
0000 h

источник 1

(SA) + 0026h
0002 h

источник 1

(SA) + 0052h
0009 h (Secured silicon sector (Customer OTP Area) size 2N (bytes))

источник 1

SA00
0000000 h (–000FFFFh Sector starting address)

источник 1

(SA) + 002Bh
0000 h ((00 = Not supported))

источник 1

Device ID, Word 2 (Base) + 0Eh
2248 h

источник 1

(SA) + 001Fh
0008 h (Typical timeout per single word write 2N µs)

источник 1

Active read at 5 MHz, 30 pF
60 mA (60 mA)

источник 1

(SA) + 0079h
0009 h

источник 1

(SA) + 0014h
0000 h

источник 1

(SA) + 004Bh
0000 h (00 = Not supported)

источник 1

(SA) + 0019h
0000 h

источник 1

(SA) + 001Ch
0036 h (VCC Max (erase/program) (D7–D4: volts, D3–D0: 100 mV))

источник 1

(SA) + 0020h
0009 h

источник 1

(SA) + 0022h
0015 h

источник 1

(SA) + 0036h
0000 h

источник 1

(SA) + 0012h
0059 h

источник 1

(SA) + 0056h
0006 h (Program suspend timeout maximum < 2N (µs))

источник 1

(SA) + 0054h
0005 h (Page size = 2N bytes)

источник 1

(SA) + 0010h
0051 h

источник 1

(SA) + 002Ah
0009 h (Max. number of byte in multi-byte write = 2N)

источник 1

Wide I/O voltage (VIO)
1.65 V (to VCC)

источник 1

(SA) + 0078h
0006 h

источник 1

(SA) + 0029h
0000 h (0 = ×8-only, 1 = ×16-only, 2 = ×8/×16 capable)

источник 1

(SA) + 0035h
0000 h

источник 1

(SA) + 0041h
0052 h (Query-unique ASCII string “PRI”)

источник 1

(SA) + 004Ch
0003 h (01 = 4 word page)

источник 1

(SA) + 0021h
000 Ah (Typical timeout per individual block erase 2N ms)

источник 1

(SA) + 0047h
0001 h (00 = Not supported)

источник 1

(SA) + 0045h
0024 h

источник 1

(SA) + 0033h
0000 h

источник 1

(SA) + 0031h
0000 h

источник 1

(SA) + 0028h
0002 h (Flash device interface description)

источник 1

S70GL02GT
3.0 V

источник 1

(SA) + 0043h
0031 h (Major version number, ASCII)

источник 1

(SA) + 0013h
0002 h

источник 1

(SA) + 0050h
0001 h (00 = Not supported)

источник 1

(SA) + 0055h
0006 h (Erase suspend timeout maximum < 2N (µs))

источник 1

(SA) + 0030h
0002 h

источник 1

(SA) + 004Ah
0000 h (00 = Not supported)

источник 1

(SA) + 0049h
0008 h

источник 1

Device ID (SA) + 000Eh (SA) + 001Ch
2248 h (= 2 Gb)

источник 1

(SA) + 001Ah
0000 h

источник 1

(SA) + 003Ch
0000 h

источник 1

Device ID (SA) + 000Fh (SA) + 000Eh
2201 h

источник 1

(SA) + 0038h
0000 h

источник 1

(SA) + 0032h
0000 h

источник 1

(SA) + 001Bh
0027 h (VCC Min (erase/program) (D7–D4: volts, D3–D0: 100 mV))

источник 1

(SA) +0051h
0002 h (00 = Not supported)

источник 1

(SA) + 0011h
0052 h (Query unique ASCII string “QRY”)

источник 1

(SA) + 0025h
0002 h (Max timeout per individual block erase 2N times typical)

источник 1

Device ID, Word 3 (Base) + 0Fh
2201 h

источник 1

(SA) + 003Bh
0000 h

источник 1

(SA) + 0048h
0000 h (00 = Not supported)

источник 1

(SA) + 001Eh
0000 h (VPP Max voltage (00h = No VPP pin present))

источник 1

WP# protection
00 h (= Flash device without WP protect (No boot))

источник 1

(SA) + 0040h
0050 h

источник 1

(SA) + 0015h
0040 h

источник 1

(SA) + 002Ch
0001 h

источник 1

(SA) + 0046h
0002 h

источник 1

(SA) + 003Ah
0000 h

источник 1

(SA) + 0039h
0000 h

источник 1

Manufacturer ID (Base) + 00h
0001 h

источник 1

Manufacture ID (SA) + 0000h (SA) + 0000h
0001 h

источник 1

(SA) + 0044h
0035 h (Minor version number, ASCII)

источник 1

(SA) + 0042h
0049 h

источник 1

(SA) + 0016h
0000 h

источник 1

(SA) + 0017h
0000 h

источник 1

(SA) + 0018h
0000 h

источник 1

(SA) + 004Fh
0005 h ((Top) 03h = Top boot device with WP protect (Top boot))

источник 1

(SA) + 001Dh
0000 h (VPP Min voltage (00h = No VPP pin present))

источник 1

Program
100 mA (100 mA)

источник 1

(SA) + 002Eh
0007 h (Erase block region 1 information)

источник 1

Источники

  1. S70GL02GT

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: (SA) + 002Fh; (SA) + 0034h; Erase; (SA) + 0037h; (SA) + 0026h; (SA) + 0052h; SA00; (SA) + 002Bh; Device ID, Word 2 (Base) + 0Eh; (SA) + 001Fh; Active read at 5 MHz, 30 pF; (SA) + 0079h; (SA) + 0014h; (SA) + 004Bh; (SA) + 0019h; (SA) + 001Ch; (SA) + 0020h; (SA) + 0022h; (SA) + 0036h; (SA) + 0012h; (SA) + 0056h; (SA) + 0054h; (SA) + 0010h; (SA) + 002Ah; - Wide I/O voltage (VIO); (SA) + 0078h; (SA) + 0029h; (SA) + 0035h; (SA) + 0041h; (SA) + 004Ch; (SA) + 0021h; (SA) + 0047h; (SA) + 0045h; (SA) + 0033h; (SA) + 0031h; (SA) + 0028h; S70GL02GT; (SA) + 0043h; (SA) + 0013h; (SA) + 0050h; (SA) + 0055h; (SA) + 0030h; (SA) + 004Ah; (SA) + 0049h; Device ID (SA) + 000Eh (SA) + 001Ch; (SA) + 001Ah; (SA) + 003Ch; Device ID (SA) + 000Fh (SA) + 000Eh; (SA) + 0038h; (SA) + 0032h; (SA) + 001Bh; (SA) +0051h; (SA) + 0011h; (SA) + 0025h; Device ID, Word 3 (Base) + 0Fh; (SA) + 003Bh; (SA) + 0048h; (SA) + 001Eh; WP# protection; (SA) + 0040h; (SA) + 0015h; (SA) + 002Ch; (SA) + 0046h; (SA) + 003Ah; (SA) + 0039h; Manufacturer ID (Base) + 00h; Manufacture ID (SA) + 0000h (SA) + 0000h; (SA) + 0044h; (SA) + 0042h; (SA) + 0016h; (SA) + 0017h; (SA) + 0018h; (SA) + 004Fh; (SA) + 001Dh; Program; (SA) + 002Eh

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.