RoboMapХарактеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- (SA) + 42h (SA) + 84h
- 0049 h
- (SA) + 18h (SA) + 30h
- 0000 h ((00h = none exists))
- (SA) + 30h (SA) + 60h
- 0002 h ((Top boot) [upper byte])
- (SA) + 2Fh (SA) + 5Eh
- 0000 h ((Top boot) [lower byte] - Sector size in bytes divided)
- SA001
- 004000 h (–007FFFh 008000h–00FFFFh address –)
- (SA) + 56h (SA) + ACh
- 0005 h (Program suspend time-out maximum)
- (SA) + 00h (SA) + 00h
- 0001 h (Infineon manufacturer ID)
- (SA) + 5Fh (SA) + BEh
- 0020 h (0010h Bank 7 region information.)
- (SA) + 4Ch (SA) + 98h 0000h Page mode type
- 00 h (= Not supported)
- (SA) + 20h (SA) + 40h
- 0009 h (Typical Program Time for programming)
- (SA) + 1Fh (SA) + 3Eh
- 0008 h (Typical word programming time per)
- (SA) + 0Eh (SA) + 1Ch
- 0064 h (/Top; 0063h/Top; High order device ID, Word 2)
- A/DQ15– PA PD SA(555h)
- 29 h (BA(555h) 70h BA Status)
- (SA) + 57h (SA) + AEh
- 0008 h (Bank organization: X= Number of banks)
- (SA) + 21h (SA) + 42h
- 000 Ah (Typical time for sector erase 2N ms)
- (SA) + 50h (SA) + A0h 0001h Program suspend
- 00 h (= Not supported)
- (SA) + 16h (SA) + 2Ch
- 0000 h
- (SA) + 41h (SA) + 82h
- 0052 h
- (SA) + 13h (SA) + 26h
- 0002 h (Primary algorithm command set)
- (SA) + 31h (SA) + 62h
- 0003 h (0003h Erase block region 2 Information)
- (SA) + 59h (SA) + B2h
- 0020 h (0010h Bank 1 region information.)
- (SA) + 23h (SA) + 46h
- 0003 h (Max. program time per single word)
- (SA) + 5Ah (SA) + B4h
- 0020 h (0010h Bank 2 region information.)
- (SA) + 5Ch (SA) + B8h
- 0020 h (0010h Bank 4 region information.)
- (SA) + 49h (SA) + 92h
- 0009 h (Sector protect/unprotect scheme)
- VIO supply voltages
- +1.70 V to +1.95 V
- (SA) + 5Dh (SA) + BAh
- 0020 h (0010h Bank 5 region information.)
- (SA) + 4Ch (SA) + 98h
- 0000 h (Page mode type)
- (SA) + 48h (SA) + 90h
- 0000 h (Sector temporary unprotect)
- (SA) + 52h (SA) + A4h
- 0008 h (Secure silicon region (Customer SSR)
- (SA) + 43h (SA) + 86h
- 0031 h (Major CFI version number, ASCII)
- (SA) + 14h (SA) + 28h
- 0000 h ((Infineon = 0002h))
- (SA) + 4Fh (SA) + 9Eh
- 03 h ((Top boot) Top/bottom sector flag)
- (SA) + 1Dh (SA) + 3Ah
- 0085 h (VPP [Programming] supply minimum)
- (SA) + 50h (SA) + A0h
- 0001 h (Program suspend)
- (SA) + 46h (SA) + 8Ch
- 0002 h (Erase suspend)
- (SA) + 17h (SA) + 2Eh
- 0000 h (Alternate algorithm command set)
- Test Point
- 0 V
- Data D124 D125 D126 D127
- 00 h (00h 00h 00h)
- (SA) + 29h (SA) + 52h
- 0000 h ([upper byte] (00h = not supported))
- (SA) + 22h (SA) + 44h
- 0012 h (0011h Typical time for full chip erase 2N s)
- (SA) + 10h (SA) + 20h
- 0051 h (Query Unique ASCII string “QRY”)
- (SA) + 5Eh (SA) + BCh
- 0020 h (0010h Bank 6 region information.)
- Sector erase (16 Kword sector)
- 350 ms
- (SA) + 26h (SA) + 4Ch
- 0003 h (Max. time for full chip erase [2N times)
- (SA) + 0Ch (SA) + 18h
- 05 h (Lower software bits)
- (SA) + 2Ah (SA) + 54h
- 0006 h (Max. number of bytes in multi-byte buffer)
- Output short circuit current [28]
- 100 mA
- Program/erase
- 30 mA
- (SA) + 1Ah (SA) + 34h
- 0000 h (extended query table (00h = none exists))
- (SA) + 2Ch (SA) + 58h
- 0002 h (Number of erase block regions within)
- (SA) + 33h (SA) + 66h
- 0080 h ((Top boot) [lower byte] - Sector size in bytes divided)
- (SA) + 11h (SA) + 22h
- 0052 h
- (SA) + 06h (SA) + 0Ch
- 0010 h (ID Version)
- (SA) + 2Bh (SA) + 56h
- 0000 h ([upper byte] (00h = not supported))
- (SA) + 27h (SA) + 4Eh
- 0019 h (0018h Device size = 2N byte)
- (SA) + 4Bh (SA) + 96h
- 0001 h (Burst mode type)
- (SA) + 2Eh (SA) + 5Ch
- 0000 h ([upper byte])
- (SA) + 19h (SA) + 32h
- 0000 h (Address for secondary algorithm)
- (SA) + 1Eh (SA) + 3Ch
- 0095 h (VPP [Programming] supply maximum)
- (SA) + 24h (SA) + 48h
- 0003 h (Max. program time using buffer [2N times)
- (SA) + 45h (SA) + 8Ah
- 0020 h (Address sensitive unlock (Bits 1-0):)
- WD RD RD
- 25 h
- (SA) + 25h (SA) + 4Ah
- 0003 h (Max. time for sector erase [2N times)
- (SA) + 0Fh (SA) + 1Eh
- 0001 h (0001h Low order device ID, Word 3)
- (SA) + 55h (SA) + AAh
- 0005 h (Erase suspend time-out maximum 2N µs)
- (SA) + 1Bh (SA) + 36h
- 0017 h (VCC logic supply minimum)
- (SA) + 32h (SA) + 64h
- 0000 h ([upper byte])
- Sector erase (64 Kword sector)
- 800 ms
- (SA) + 12h (SA) + 24h
- 0059 h
- (SA) + 1Ch (SA) + 38h
- 0019 h (VCC logic supply maximum)
- (SA) + 4Dh (SA) + 9Ah
- 0085 h (VPP (Acceleration) supply minimum)
- (SA) + 4Eh (SA) + 9Ch
- 0095 h (VPP (Acceleration) supply maximum)
- (SA) + 28h (SA) + 50h
- 0001 h (Flash device interface)
- (SA) + 51h (SA) + A2h
- 0000 h (Unlock bypass)
- (SA) + 47h (SA) + 8Eh
- 0001 h (Sector protection per group)
- (SA) + 34h (SA) + 68h
- 0000 h ((Top boot) [upper byte])
- (SA) + 58h (SA) + B0h
- 0020 h (0010h Bank 0 region information.)
- (SA) + 40h (SA) + 80h
- 0050 h (Query unique ASCII string “PRI”)
- (SA) + 51h (SA) + A2h 0000h Unlock bypass
- 00 h (= Not supported)
- VCC supply voltages
- +1.70 V to +1.95 V
- (SA) + 44h (SA) + 88h
- 0034 h (Minor CFI version number, ASCII)
- (SA) + 4Bh (SA) + 96h 0001h Burst mode type
- 00 h (= Not supported)
- (SA) + 15h (SA) + 2Ah
- 0040 h (Address for primary extended table)
- SA002
- 008000 h (–00BFFFh 010000h–017FFFh address)
- (SA) + 5Bh (SA) + B6h
- 0020 h (0010h Bank 3 region information.)
Источники
- S29VS128R, S29VS256R, S29XS128R, S29XS256R
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: (SA) + 42h (SA) + 84h; (SA) + 18h (SA) + 30h; (SA) + 30h (SA) + 60h; (SA) + 2Fh (SA) + 5Eh; SA001; (SA) + 56h (SA) + ACh; (SA) + 00h (SA) + 00h; (SA) + 5Fh (SA) + BEh; (SA) + 4Ch (SA) + 98h 0000h Page mode type; (SA) + 20h (SA) + 40h; (SA) + 1Fh (SA) + 3Eh; (SA) + 0Eh (SA) + 1Ch; A/DQ15– PA PD SA(555h); (SA) + 57h (SA) + AEh; (SA) + 21h (SA) + 42h; (SA) + 50h (SA) + A0h 0001h Program suspend; (SA) + 16h (SA) + 2Ch; (SA) + 41h (SA) + 82h; (SA) + 13h (SA) + 26h; (SA) + 31h (SA) + 62h; (SA) + 59h (SA) + B2h; (SA) + 23h (SA) + 46h; (SA) + 5Ah (SA) + B4h; (SA) + 5Ch (SA) + B8h; (SA) + 49h (SA) + 92h; VIO supply voltages; (SA) + 5Dh (SA) + BAh; (SA) + 4Ch (SA) + 98h; (SA) + 48h (SA) + 90h; (SA) + 52h (SA) + A4h; (SA) + 43h (SA) + 86h; (SA) + 14h (SA) + 28h; (SA) + 4Fh (SA) + 9Eh; (SA) + 1Dh (SA) + 3Ah; (SA) + 50h (SA) + A0h; (SA) + 46h (SA) + 8Ch; (SA) + 17h (SA) + 2Eh; Test Point; Data D124 D125 D126 D127; (SA) + 29h (SA) + 52h; (SA) + 22h (SA) + 44h; (SA) + 10h (SA) + 20h; (SA) + 5Eh (SA) + BCh; Sector erase (16 Kword sector); (SA) + 26h (SA) + 4Ch; (SA) + 0Ch (SA) + 18h; (SA) + 2Ah (SA) + 54h; Output short circuit current [28]; Program/erase; (SA) + 1Ah (SA) + 34h; (SA) + 2Ch (SA) + 58h; (SA) + 33h (SA) + 66h; (SA) + 11h (SA) + 22h; (SA) + 06h (SA) + 0Ch; (SA) + 2Bh (SA) + 56h; (SA) + 27h (SA) + 4Eh; (SA) + 4Bh (SA) + 96h; (SA) + 2Eh (SA) + 5Ch; (SA) + 19h (SA) + 32h; (SA) + 1Eh (SA) + 3Ch; (SA) + 24h (SA) + 48h; (SA) + 45h (SA) + 8Ah; WD RD RD; (SA) + 25h (SA) + 4Ah; (SA) + 0Fh (SA) + 1Eh; (SA) + 55h (SA) + AAh; (SA) + 1Bh (SA) + 36h; (SA) + 32h (SA) + 64h; Sector erase (64 Kword sector); (SA) + 12h (SA) + 24h; (SA) + 1Ch (SA) + 38h; (SA) + 4Dh (SA) + 9Ah; (SA) + 4Eh (SA) + 9Ch; (SA) + 28h (SA) + 50h; (SA) + 51h (SA) + A2h; (SA) + 47h (SA) + 8Eh; (SA) + 34h (SA) + 68h; (SA) + 58h (SA) + B0h; (SA) + 40h (SA) + 80h; (SA) + 51h (SA) + A2h 0000h Unlock bypass; VCC supply voltages; (SA) + 44h (SA) + 88h; (SA) + 4Bh (SA) + 96h 0001h Burst mode type; (SA) + 15h (SA) + 2Ah; SA002; (SA) + 5Bh (SA) + B6h