RoboMapХарактеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- Active read at 5 MHz, 30 pF
- 60 mA (60 mA 60 mA)
- (SA) + 0018h (SA) + 0030h
- 0000 h ((00h = none exists))
- Input 0.5 VIO Measurement Level 0.5 VIO Output
- 0.0 V
- (SA) + 0017h (SA) + 002Eh
- 0000 h (代替 OEM コマンド セット)
- (SA) + 001Bh (SA) + 0036h
- 0027 h
- デバイス ID (SA) + 000Fh (SA) + 001Eh
- 2201 h
- Manufacture ID (SA) + 0000h (SA) + 0000h
- 0001 h
- (SA) + 0049h (SA) + 0092h
- 0008 h
- Boot)
- 05 h (= Uniform, Top WP Protect (Uniform Top Boot))
- (SA) + 0032h (SA) + 0064h
- 0000 h (消去ブロック領域 2 の情報)
- (SA) + 0050h (SA) + 00A0h
- 0001 h (00 = 非対応)
- ブート )
- 02 h (= WP 保護付きの下部ブート デバイス ( 下部ブート ))
- (SA) + 0052h (SA) + 00A4h
- 0009 h (セキュア シリコン セクタ ( カスタマー用 OTP エリア ) サ)
- (SA) + 0023h (SA) + 0046h
- 0003 h ((105°C) 1 ワード書き込み時の最⼤タイムアウト = 標準タイムアウト × 2)
- (SA) + 0029h (SA) + 0052h
- 0000 h (1 = ×16-only, 2 = ×8/×16 capable)
- (SA) + 0045h (SA) + 008Ah
- 0024 h (0011b = 0.13 µm Floating Gate)
- (SA) + 0036h (SA) + 006Ch
- 0000 h (消去ブロック領域 3 の情報)
- VIO
- 1.65 V (to VCC + 200 mV)
- (SA) + 004Ch (SA) + 0098h
- 0003 h (01 = 4 Word Page)
- アクティブ読み出し (5 MHz, 30 pF)
- 60 mA (60 mA 60 mA)
- (SA) + 002Ah (SA) + 0054h
- 0009 h (Max. number of byte in multi-byte write = 2N)
- (SA) + 001Ch (SA) + 0038h
- 0036 h (VCC Max. ( 消去 / プログラム ) (D7 〜 D4: V, D3 〜 D0: 100 mV))
- (SA) + 0019h (SA) + 0032h
- 0000 h (Address for Alternate OEM Extended table)
- (SA) + 002Fh (SA) + 005Eh
- 0000 h (00FFh, 0003h, 0000h, 0002h =1 Gb)
- (SA) + 0047h (SA) + 008Eh
- 0001 h (00 = Not supported)
- (SA) + 0037h (SA) + 006Eh
- 0000 h ((CFI publication 100 を参照してください ))
- (SA) + 0036h (SA) + 006Ch
- 0000 h (Erase Block Region 3 information (refer to CFI)
- (SA) + 0025h (SA) + 004Ah
- 0002 h (個別ブロック消去時の最⼤タイムアウト = 標準タイムアウト × 2N)
- (SA) + 004Bh (SA) + 0096h
- 0000 h (00 = 非対応)
- (SA) + 0019h (SA) + 0032h
- 0000 h (代替 OEM 拡張テーブルのアドレス)
- VCC
- 2.7 V to 3.6 V
- (SA) + 0027h (SA) + 004Eh
- 001 Ah ((512 Mb) デバイス サイズ = 2N バイト)
- (Dual Boot)
- 02 h (= Bottom Boot Device with WP Protect (Bottom)
- (SA) + 002Ah (SA) + 0054h
- 0009 h (複数バイト書き込み時の最⼤バイト数 = 2N)
- (SA) + 0023h (SA) + 0046h
- 0002 h ((85°C) Max. timeout for single word write 2N times typical)
- (SA) + 0012h (SA) + 0024h
- 0059 h
- (SA) + 0011h (SA) + 0022h
- 0052 h (Query Unique ASCII string “QRY”)
- デバイス ID (SA) + 000Eh (SA) + 001Ch
- 2223 h (= 512 Mb)
- (SA) + 0028h (SA) + 0050h
- 0002 h (フラッシュ デバイス インターフェースの説明 :)
- Wide I/O voltage range (VIO)
- 1.65 V (to VCC)
- (SA) + 001Dh (SA) + 003Ah
- 0000 h (VPP Min. voltage (00h = no VPP pin present))
- (SA) + 0046h (SA) + 008Ch
- 0002 h (0 = 非対応)
- (SA) + 0014h (SA) + 0028h
- 0000 h
- VCC
- 2.7 V (〜 3.6 V)
- 消去
- 100 mA (100 mA 100 mA)
- (SA) + 0034h (SA) + 0068h
- 0000 h
- (SA) + 0055h (SA) + 00AAh
- 0006 h (消去⼀時停止の最⼤タイムアウト < 2N (µs))
- (SA) + 0041h (SA) + 0082h
- 0052 h (クエリー固有 ASCII ⽂字列 「PRI」)
- (SA) + 0026h (SA) + 004Ch
- 0002 h (チップ全体消去時の最⼤タイムアウト = 標準タイムアウト × 2N)
- (SA) + 0041h (SA) + 0082h
- 0052 h (Query-unique ASCII string “PRI”)
- 任意のセクタで EES を開始するには、EAC がスタンバイ状態になっている時に、そのセクタのアドレス
- 555 h (に 35h を書き込みます。)
- マイナー バージョン番号 (ASCII)
- 0033 h ((CFI 1.3) 0033h = CFI マイナー バージョン 3 ( モデル番号 03, 04, V3,)
- WP# Protection
- 00 h (= Flash device without WP Protect (No Boot))
- Device ID (SA) + 000Fh (SA) + 001Eh
- 2201 h
- セクタ アドレスでの書き込み SA
- 0029 h (SA 29h の書き込みバッファ ロケーショ)
- (SA) + 002Ch (SA) + 0058h
- 0001 h (デバイス内の消去ブロック領域数)
- (SA) + 0014h (SA) + 0028h
- 0000 h (プライマリ OEM コマンド セット)
- 広範な I/O 電圧 (VIO)
- 1.65 V (〜 VCC)
- (SA) + 0035h (SA) + 006Ah
- 0000 h
- (SA) + 0046h (SA) + 008Ch
- 0002 h (0 = Not supported)
- (SA) + 004Ah (SA) + 0094h
- 0000 h (00 = 非対応)
- (SA) + 0079h (SA) + 00F2h
- 0009 h (2N (µs))
- (SA) + 0078h (SA) + 00F0h
- 0006 h ((µs))
- (SA) + 0038h (SA) + 0070h
- 0000 h
- (SA) + 001Dh (SA) + 003Ah
- 0000 h (VPP Min 電圧 (00h = VPP ピンなし ))
- (SA) + 004Ch (SA) + 0098h
- 0003 h (01 = 4 ワード ページ)
- (SA) + 0052h (SA) + 00A4h
- 0009 h
- (SA) + 001Fh (SA) + 003Eh
- 0008 h (Typical timeout per single word write 2N µs)
- (SA) + 0017h (SA) + 002Eh
- 0000 h (Alternate OEM Command set)
- S29GL01GT, S29GL512T
- 3.0 V
- SA0
- 0000000 h (–000FFFFh 0000000h–001FFFFh セクタ開始アドレス)
- Program
- 100 mA (100 mA 100 mA)
- (SA) + 002Bh (SA) + 0056h
- 0000 h (注意事項 : ×16 (WORD) モードのみ)
- (SA) + 0010h (SA) + 0020h
- 0051 h
- (SA) + 001Eh (SA) + 003Ch
- 0000 h (VPP Max 電圧 (00h = VPP ピンなし ))
- (SA) + 0018h (SA) + 0030h
- 0000 h ((00h = 非存在 ))
- Minor version number, ASCII
- 0033 h (= CFI Minor Version 3 (Model Number is 03, 04,)
- (SA) + 0039h (SA) + 0072h
- 0000 h
- (SA) + 002Ch (SA) + 0058h
- 0001 h
- 出力短絡回路電流 [99]
- 100 mA
- (SA) + 0033h (SA) + 0066h
- 0000 h (publication 100))
- (SA) + 0022h (SA) + 0044h
- 0014 h ((1 Gb) N)
- (SA) + 0037h (SA) + 006Eh
- 0000 h (publication 100))
- (SA) + 001Fh (SA) + 003Eh
- 0008 h (1 ワード書き込み時の標準タイムアウト = 2N µs)
- SA0
- 0000000 h (–000FFFFh 0000000h–001FFFFh)
- (SA) +0051h (SA) +00A2h
- 0001 h (00 = 非対応)
- (SA) + 0048h (SA) + 0090h
- 0000 h (00 = Not supported)
- (SA) +0051h (SA) +00A2h
- 0001 h (00 = Not supported)
- (SA) + 0033h (SA) + 0066h
- 0000 h ((CFI publication 100 を参照してください ))
- メーカー ID (SA) + 0000h (SA) + 0000h
- 0001 h
- SA0
- 0000000 h (–000FFFFh 0000000h–001FFFFh address)
- (SA) + 0043h (SA) + 0086h
- 0031 h (Major version number, ASCII)
- (SA) + 001Eh (SA) + 003Ch
- 0000 h (VPP Max. voltage (00h = no VPP pin present))
- 下部ブート )
- 05 h (= ユニフォーム、上部の WP 保護あり ( ユニフォーム)
- (SA) + 0048h (SA) + 0090h
- 0000 h (00 = 非対応)
- (SA) + 001Bh (SA) + 0036h
- 0027 h (VCC Min. ( 消去 / プログラム ) (D7 〜 D4: V, D3 〜 D0: 100 mV))
- (SA) + 004Ah (SA) + 0094h
- 0000 h (00 = Not supported)
- (SA) + 0020h (SA) + 0040h
- 0009 h (multi-byte program, 2N µs)
- (SA) + 003Bh (SA) + 0076h
- 0000 h ((CFI publication 100 を参照してください ))
- (SA) + 003Bh (SA) + 0076h
- 0000 h (publication 100))
- (SA) + 003Ah (SA) + 0074h
- 0000 h (消去ブロック領域 4 の情報)
- (SA) + 0056h (SA) + 00ACh
- 0006 h (プログラム⼀時停止の最⼤タイムアウト < 2N (µs))
- (SA) + 0021h (SA) + 0042h
- 000 Ah (個別ブロック消去時の標準タイムアウト = 2N ms)
- (SA) + 0025h (SA) + 004Ah
- 0002 h
- (SA) + 0050h (SA) + 00A0h
- 0001 h (00 = Not supported)
- (SA) + 0054h (SA) + 00A8h
- 0005 h (Page Size = 2N bytes)
- (SA) + 001Ah (SA) + 0034h
- 0000 h ((00h = 非存在 ))
- (SA) + 0031h (SA) + 0062h
- 0000 h
- (SA) + 0032h (SA) + 0064h
- 0000 h (Erase Block Region 2 information (refer to CFI)
- (SA) + 0043h (SA) + 0086h
- 0031 h (メジャー バージョン番号 (ASCII))
- 上部ブート )
- 06 h (= WP 保護付きの全セクタ)
- SA
- 0029 h (SA 29h last write buffer location loaded,)
- (SA) + 0045h (SA) + 008Ah
- 0024 h
- 上位ソフトウェア ビット (SA) + 000Dh (SA) + 001Ah 予約済み
- 2228 h (= 1 Gb)
- (SA) + 0013h (SA) + 0026h
- 0002 h
- (SA) + 0040h (SA) + 0080h
- 0050 h
- (SA) + 0054h (SA) + 00A8h
- 0005 h (ページ サイズ = 2N バイト)
- (SA) + 0056h (SA) + 00ACh
- 0006 h (Program Suspend Timeout Maximum < 2N (µs))
- (SA) + 0020h (SA) + 0040h
- 0009 h (最⼤複数バイトプログラム時の標準タイムアウト = 2N µs)
- (SA) + 0016h (SA) + 002Ch
- 0000 h (プライマリ拡張テーブルのアドレス)
- (SA) + 0022h (SA) + 0044h
- 0013 h ((512 Mb) supported))
- Device ID (SA) + 000Eh (SA) + 001Ch
- 2223 h (= 512 Mb)
- (SA) + 0022h (SA) + 0044h 0014h (1 Gb) N
- 0013 h ((512 Mb) チップ全体消去時の標準タイムアウト = 2 ms (00h = 非対応 ))
- (SA) + 0015h (SA) + 002Ah
- 0040 h
- (SA) + 0016h (SA) + 002Ch
- 0000 h
- Output short circuit current[99]
- 100 mA
- VIO
- 1.65 V (〜 VCC + 200 mV)
- (SA) + 0029h (SA) + 0052h
- 0000 h (0 = ×8 のみ , 1 = ×16 のみ , 2 = ×8/×16 対応)
- (SA) + 003Ch (SA) + 0078h
- 0000 h
- (SA) + 003Ah (SA) + 0074h
- 0000 h (Erase Block Region 4 information (refer to CFI)
- (SA) + 004Fh (SA) + 009Eh
- 0004 h (( 下部 ) 03h = WP 保護付きの上部ブート デバイス ( 上部ブート ))
- (SA) + 001Ah (SA) + 0034h
- 0000 h ((00h = none exists))
- (SA) + 0026h (SA) + 004Ch
- 0002 h
- Erase
- 100 mA (100 mA 100 mA)
- (SA) + 0011h (SA) + 0022h
- 0052 h (クエリー固有 ASCII ⽂字列 「QRY」)
- (SA) + 002Bh (SA) + 0056h
- 0000 h (Note For ×16 (WORD) mode only.)
- セクタ アドレスでのバッファへ SA
- 0025 h (SA 25h)
- Issue Write to Buffer command SA
- 0025 h (SA 25h)
- (SA) + 0042h (SA) + 0084h
- 0049 h
- Data
- 55 h (30h)
- プログラム
- 100 mA (100 mA 100 mA)
- (SA) + 0047h (SA) + 008Eh
- 0001 h (00 = 非対応)
- (SA) + 0028h (SA) + 0050h
- 0002 h (Flash Device Interface Description 0 = ×8-only,)
- (SA) + 0021h (SA) + 0042h
- 000 Ah (Typical timeout per individual block erase 2N ms)
- (SA) + 0024h (SA) + 0048h
- 0002 h ((105°C) バッファ書き込み時の最⼤タイムアウト = 標準タイムアウト × 2)
- (SA) + 004Bh (SA) + 0096h
- 0000 h (00 = Not supported)
- WP# 保護
- 00 h (= WP 保護なしのフラッシュ デバイス ( ブートなし ))
- (SA) + 0049h (SA) + 0092h
- 0008 h (04 = 高電圧⽅式)
- Addresses
- 555 h (PA PA PA)
- S29GL01GT, S29GL512T
- 3.0 V (コア, VIO オプション付き, 1024, 512 Mbのページモード フラッシュ メモリ,)
- (SA) + 001Ch (SA) + 0038h
- 0036 h
- (SA) + 0055h (SA) + 00AAh
- 0006 h (Erase Suspend Timeout Maximum < 2N (µs))
Источники
- S29GL01GT, S29GL512T
страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: Active read at 5 MHz, 30 pF; (SA) + 0018h (SA) + 0030h; (SA) + 001Bh (SA) + 0036h; Manufacture ID (SA) + 0000h (SA) + 0000h; (SA) + 0049h (SA) + 0092h; Boot); (SA) + 0029h (SA) + 0052h; (SA) + 0045h (SA) + 008Ah; VIO; (SA) + 004Ch (SA) + 0098h; (SA) + 002Ah (SA) + 0054h; (SA) + 0019h (SA) + 0032h; (SA) + 0047h (SA) + 008Eh; (SA) + 0036h (SA) + 006Ch; VCC; (Dual Boot); (SA) + 0023h (SA) + 0046h; (SA) + 0011h (SA) + 0022h; - Wide I/O voltage range (VIO); (SA) + 001Dh (SA) + 003Ah; (SA) + 0014h (SA) + 0028h; (SA) + 0041h (SA) + 0082h; WP# Protection; Device ID (SA) + 000Fh (SA) + 001Eh; (SA) + 0046h (SA) + 008Ch; (SA) + 0052h (SA) + 00A4h; (SA) + 001Fh (SA) + 003Eh; (SA) + 0017h (SA) + 002Eh; S29GL01GT, S29GL512T; Program; Minor version number, ASCII; (SA) + 002Ch (SA) + 0058h; (SA) + 0033h (SA) + 0066h; (SA) + 0037h (SA) + 006Eh; SA0; (SA) + 0048h (SA) + 0090h; (SA) +0051h (SA) +00A2h; (SA) + 0043h (SA) + 0086h; (SA) + 001Eh (SA) + 003Ch; (SA) + 004Ah (SA) + 0094h; (SA) + 0020h (SA) + 0040h; (SA) + 003Bh (SA) + 0076h; (SA) + 0025h (SA) + 004Ah; (SA) + 0050h (SA) + 00A0h; (SA) + 0054h (SA) + 00A8h; (SA) + 0032h (SA) + 0064h; SA; (SA) + 0056h (SA) + 00ACh; (SA) + 0022h (SA) + 0044h; Device ID (SA) + 000Eh (SA) + 001Ch; (SA) + 0016h (SA) + 002Ch; Output short circuit current[99]; (SA) + 003Ah (SA) + 0074h; (SA) + 001Ah (SA) + 0034h; (SA) + 0026h (SA) + 004Ch; Erase; (SA) + 002Bh (SA) + 0056h; Issue Write to Buffer command SA; (SA) + 0028h (SA) + 0050h; (SA) + 0021h (SA) + 0042h; (SA) + 004Bh (SA) + 0096h; (SA) + 001Ch (SA) + 0038h; (SA) + 0055h (SA) + 00AAh
- S29GL01GT, S29GL512T
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: Input 0.5 VIO Measurement Level 0.5 VIO Output; (SA) + 0017h (SA) + 002Eh; デバイス ID (SA) + 000Fh (SA) + 001Eh; (SA) + 0032h (SA) + 0064h; (SA) + 0050h (SA) + 00A0h; ブート ); (SA) + 0052h (SA) + 00A4h; (SA) + 0023h (SA) + 0046h; (SA) + 0036h (SA) + 006Ch; アクティブ読み出し (5 MHz, 30 pF); (SA) + 001Ch (SA) + 0038h; (SA) + 002Fh (SA) + 005Eh; (SA) + 0037h (SA) + 006Eh; (SA) + 0025h (SA) + 004Ah; (SA) + 004Bh (SA) + 0096h; (SA) + 0019h (SA) + 0032h; (SA) + 0027h (SA) + 004Eh; (SA) + 002Ah (SA) + 0054h; (SA) + 0012h (SA) + 0024h; デバイス ID (SA) + 000Eh (SA) + 001Ch; (SA) + 0028h (SA) + 0050h; (SA) + 0046h (SA) + 008Ch; VCC; 消去; (SA) + 0034h (SA) + 0068h; (SA) + 0055h (SA) + 00AAh; (SA) + 0041h (SA) + 0082h; (SA) + 0026h (SA) + 004Ch; 任意のセクタで EES を開始するには、EAC がスタンバイ状態になっている時に、そのセクタのアドレス; マイナー バージョン番号 (ASCII); セクタ アドレスでの書き込み SA; (SA) + 002Ch (SA) + 0058h; (SA) + 0014h (SA) + 0028h; - 広範な I/O 電圧 (VIO); (SA) + 0035h (SA) + 006Ah; (SA) + 004Ah (SA) + 0094h; (SA) + 0079h (SA) + 00F2h; (SA) + 0078h (SA) + 00F0h; (SA) + 0038h (SA) + 0070h; (SA) + 001Dh (SA) + 003Ah; (SA) + 004Ch (SA) + 0098h; SA0; (SA) + 002Bh (SA) + 0056h; (SA) + 0010h (SA) + 0020h; (SA) + 001Eh (SA) + 003Ch; (SA) + 0018h (SA) + 0030h; (SA) + 0039h (SA) + 0072h; 出力短絡回路電流 [99]; (SA) + 0022h (SA) + 0044h; (SA) + 001Fh (SA) + 003Eh; (SA) +0051h (SA) +00A2h; (SA) + 0033h (SA) + 0066h; メーカー ID (SA) + 0000h (SA) + 0000h; 下部ブート ); (SA) + 0048h (SA) + 0090h; (SA) + 001Bh (SA) + 0036h; (SA) + 003Bh (SA) + 0076h; (SA) + 003Ah (SA) + 0074h; (SA) + 0056h (SA) + 00ACh; (SA) + 0021h (SA) + 0042h; (SA) + 001Ah (SA) + 0034h; (SA) + 0031h (SA) + 0062h; (SA) + 0043h (SA) + 0086h; 上部ブート ); (SA) + 0045h (SA) + 008Ah; 上位ソフトウェア ビット (SA) + 000Dh (SA) + 001Ah 予約済み; (SA) + 0013h (SA) + 0026h; (SA) + 0040h (SA) + 0080h; (SA) + 0054h (SA) + 00A8h; (SA) + 0020h (SA) + 0040h; (SA) + 0016h (SA) + 002Ch; (SA) + 0022h (SA) + 0044h 0014h (1 Gb) N; (SA) + 0015h (SA) + 002Ah; VIO; (SA) + 0029h (SA) + 0052h; (SA) + 003Ch (SA) + 0078h; (SA) + 004Fh (SA) + 009Eh; (SA) + 0011h (SA) + 0022h; セクタ アドレスでのバッファへ SA; (SA) + 0042h (SA) + 0084h; Data; プログラム; (SA) + 0047h (SA) + 008Eh; (SA) + 0024h (SA) + 0048h; WP# 保護; (SA) + 0049h (SA) + 0092h; Addresses; S29GL01GT, S29GL512T