S29GL01GP

Характеристики

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Notes: 1. N (/A = Not Applicable.)
источник 1
Determined by customer: 000008 h (–00007Fh Unavailable Determined by customer)
источник 1
Device ID, Word 3 Base + 0Fh: 2201h/01 h
источник 1
VCC: +0.5 V
источник 1
Exit Cycle 4 Write Base + XXXh Base + XXXh: 0000 h
источник 1
Data: 55 h (30h Progress Complete)
источник 1
Exit Cycle 3 Write Base + AAAh Base + 555h: 0090 h
источник 1
SA00: 0000000 h (- 000FFFFh Sector Starting Address)
источник 1
Random Access Read (f = 5 MHz): 30 mA
источник 1
Device ID, Word 2 Base + 0Eh: 2222h/22 h ((GL256P))
источник 1
Device ID, Word 1 Base + 01h 227Eh/7Eh: 2228h/28 h ((GL01GP))
источник 1
Secured Silicon: 99 h ((factory)
источник 1
Sector Erase Time (64 Kword Sector): 0.5 s
источник 1
VCC: +2.0 V
источник 1
RY/BY#: 0 V
источник 1
Sector Group: 01 h ((protected),)
источник 1
Program/Erase: 50 mA
источник 1
Unlock Cycle 2 Write Base + 555h Base + 2AAh: 0055 h
источник 1
Addresses: 555 h (PA PA PA)
источник 1
Ambient Temperature (TA), Commercial (C) Device: 0°C to +85 °C
источник 1
Output Short Circuit Current (Note 3): 200 mA
источник 1
Secured Silicon: 89 h ((factory)
источник 1

S29GL01GP
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

Где в источнике: Notes:; Determined by customer; Device ID, Word 3 Base + 0Fh; VCC; Exit Cycle 4 Write Base + XXXh Base + XXXh; Data; Exit Cycle 3 Write Base + AAAh Base + 555h; SA00; Random Access Read (f = 5 MHz); Device ID, Word 2 Base + 0Eh; Device ID, Word 1 Base + 01h 227Eh/7Eh; Secured Silicon; Sector Erase Time (64 Kword Sector); RY/BY#; Sector Group; Program/Erase; Unlock Cycle 2 Write Base + 555h Base + 2AAh; Addresses; Ambient Temperature (TA), Commercial (C) Device; Output Short Circuit Current (Note 3)

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.