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Модель

S26KL512S S26KS512S S26KL256S S26KS256S

Производитель: Infineon

180
характеристик
2
источников

О модели

S26KL512S S26KS512S S26KL256S S26KS256S - модель производителя Infineon.

180 характеристик приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 2 источников, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

(SA) + 0036h
0000 h (消去ブロック領域 3 の情報 (JEDEC JESD68-01 または JEP137 仕様を)

источник 1

(SA) + 0049h
0008 h

источник 1

書込みバッファ プログラム電流
60 mA

источник 1

読み出し時のアクティブ クロック停止
12 mA (、ウェイクアップが不要)

источник 1

Sector erase current
60 mA

источник 2

(SA) + 0048h
0000 h (00 = 未対応)

источник 1

(SA) + 0028h
0000 h

источник 2

セクタ消去時間 (256 KB = 2 Mb)
930 ms (( 〜 282 KBps))

источник 1

(SA) + 0044h
0035 h (マイナー バージョン番号 , ASCII)

источник 1

(SA) + 0042h
0049 h

источник 1

主アレイ セクタ 0 224 KB 主アレイ セクタ 0 の露出部分
0004000 h (〜 001FFFFh)

источник 1

Issue Unlock Command 1
555 h (AAh –)

источник 2

(SA) + 001Eh
0000 h (VPP (Max) 電圧 (00h = VPP ピンなし ))

источник 1

(SA) + 0046h
0002 h (1 = Read only)

источник 2

(SA) + 0016h
0000 h (プライマリ拡張テーブルのアドレス)

источник 1

(SA) + 0015h
0040 h

источник 1

ウン電流 (512 Mb の場合 )
25 °C (でのディープ パワーダウ)

источник 1

(SA) + 0052h
000 Ah

источник 2

Table 52
3.0 V (での電源投⼊ / 電源切断電圧とタイミング)

источник 1

Power-on reset
80 mA

источник 2

Table 50
3.0 V (での静電容量特性)

источник 1

(SA) + 000Dh 予約済み 上位ソフトウェア ビット
0070 h (= 512 Mb (1.8 V 時 ))

источник 1

(SA) + 0028h
0000 h (フラッシュ デバイス インターフェースの説明)

источник 1

(SA) + 003Ah
0000 h

источник 2

(SA) + 0039h
0000 h

источник 1

(SA) + 0046h
0002 h

источник 1

(SA) + 0043h
0031 h (Major version number, ASCII)

источник 2

(SA) + 0034h
0000 h

источник 1

(SA) + 0038h
0000 h

источник 1

(SA) + 0012h
0059 h

источник 2

(SA) + 0016h
0000 h

источник 2

(SA) + 004Ch
0000 h (01 = 4 ワード ページ)

источник 1

(SA) + 001Fh
0009 h (Typical timeout per single word write 2N µs)

источник 2

場合 ) V = V max CC CC
85 °C (でのディープ パワーダウ)

источник 1

Sector erase time (256 KB = 2 Mb)
930 ms ((~282 KBps))

источник 2

(SA) + 0050h
0001 h (00 = 未対応)

источник 1

(SA) + 0032h
0000 h

источник 2

トップ ブート )
06 h (= すべてのセクタを WP 保護により保護設定)

источник 1

(SA) + 0029h
0000 h (0 = ×8 固定 , 1 = ×16 固定 , 2 = ×8/×16 対応)

источник 1

(SA) + 0025h
0002 h (Max. timeout per individual block erase 2N times typical)

источник 2

VCC and VCCQ
1.7 V to 1.95 V

источник 2

(SA) + 0031h
0000 h

источник 1

(SA) + 0078h
0006 h (Reset with Reset Pin)

источник 2

programming when = 0
0010h–0013 h (... All bytes = FFh)

источник 2

(SA) + 0014h
0000 h

источник 2

(SA) + 0013h
0002 h

источник 1

读取期间工作时钟停止
12 mA (,无需唤醒)

источник 2

(SA) + 0079h
0009 h (Power-On Reset)

источник 2

(SA) + 0022h
0011 h ((256 Mb) チップ全体消去の標準タイムアウト = 2N ms)

источник 1

書き込みバッファ プログラム確認 SA
0029 h (バッファ位置の直後に実⾏される必要がある。)

источник 1

(SA) + 003Bh
0000 h (参照 ))

источник 1

照してください。
29.2345 h (を 45678h アドレスに、9876h を 45679h アドレスにプログラムします。)

источник 1

(SA) + 0019h
0000 h (Address for alternate OEM Extended table)

источник 2

(SA) + 0020h
0009 h (マルチバイト プログラム = 2N µs)

источник 1

(SA) + 0024h
0002 h (Max. timeout for buffer write 2N times typical)

источник 2

(SA) + 0021h 000Ah 個別ブロック消去の標準タイムアウト = 2N ms
0012 h ((512 Mb))

источник 1

きは領域 31 をプログラムから保護
0014 h (–001Fh 将来に使用するために予約済み)

источник 1

(SA) + 0054h
0005 h (ページサイズ = 2N バイト)

источник 1

SA
0029 h

источник 2

(SA) + 001Dh
0000 h (VPP (Min) 電圧 (00h = VPP ピンなし ))

источник 1

(SA) + 003Ah
0000 h (消去ブロック領域 4 の情報 (JEDEC JESD68-01 または JEP137 仕様を)

источник 1

(SA) + 0037h
0000 h (参照 ))

источник 1

(SA) + 002Ah
0009 h (マルチバイト書き込み時の最大バイト数 = 2N)

источник 1

WP# Protection
00 h (= Flash device without WP Protect (No boot))

источник 2

(SA) +0051h
0000 h (00 = Not supported)

источник 2

(SA) + 0017h
0000 h (Alternate OEM Command Set)

источник 2

(SA) + 001Eh
0000 h (VPP Max. voltage (00h = no VPP pin present))

источник 2

(SA) + 0024h
0002 h (バッファ書き込み時の最大タイムアウト = 標準時間 × 2N)

источник 1

(SA) + 0018h
0000 h ((00h = none exists))

источник 2

(SA) + 0048h
0000 h (00 = Not supported)

источник 2

Write buffer programming current
60 mA

источник 2

(SA) + 0029h
0000 h (capable)

источник 2

Region 1
0020 h (–003Fh Available for user programming All bytes = FFh)

источник 2

(SA) + 0055h
0006 h (Erase Suspend Timeout maximum < 2N (µs))

источник 2

(SA) + 001Ah
0000 h ((00h = 未使用 ))

источник 1

Burst read (Continuous read at 166 MHz)
80 mA

источник 2

(SA) + 0023h
0002 h (1 ワード書き込み時の最大タイムアウト = 標準時間 × 2N)

источник 1

(SA) + 0047h
0001 h (00 = 未対応)

источник 1

(SA) + 000Ch
0005 h (0 = DQ ビットのポーリングがサポートされていない)

источник 1

(SA) + 0040h
0050 h

источник 2

Temperature (– VCC = VCC max
40°C to +105 °C ())

источник 2

(SA) + 0026h
0002 h (チップ全体消去の標準タイムアウト = 標準時間 × 2N)

источник 1

(SA) + 0056h
0006 h (Program Suspend Timeout maximum < 2N (µs))

источник 2

(SA) + 0022h 0011h (256 Mb) チップ全体消去の標準タイムアウト = 2N ms
0010 h ((128 Mb) (00h = 未対応 ))

источник 1

(SA) + 0037h
0000 h (speci- fications))

источник 2

場合 )
105 °C (でのディープ パワーダ)

источник 1

表 52
3.0 V (上电/断电电压和时序)

источник 2

(SA) + 0025h
0002 h (個別ブロック消去の最大タイムアウト = 標準時間 × 2N)

источник 1

Least significant byte of
0000 h

источник 2

SA
0025 h (–)

источник 2

SA00
0000000 h (–001FFFFh Sector starting address)

источник 2

(SA) + 008Bh Die Y coordinate 1 Hex 15 000Fh
0042 h (, 0052h, 0033h,)

источник 2

(SA) + 004Fh
0000 h (03h = Top Boot Device with WP Protect (Top boot))

источник 2

(SA) + 0022h
0011 h

источник 2

(SA) + 0021h
000 Ah (Typical timeout per individual block erase 2N ms)

источник 2

programming when = 0
0014 h (–001Fh Reserved for Future Use (RFU) All bytes = FFh)

источник 2

セクタ消去電流
60 mA

источник 1

(SA) + 0049h
0008 h (04 = High-voltage method)

источник 2

(SA) + 0019h
0000 h (代替 OEM 拡張テーブルのアドレス)

источник 1

可能
0040 h (–005Fh ユーザープログラミング用に使用)

источник 1

(SA) + 0026h
0002 h ((00h = not supported))

источник 2

(SA) + 004Ah
0000 h (00 = Not supported)

источник 2

(SA) + 0052h
000 Ah (セキュア シリコン セクタ ( お客様用 OTP 領域 = 1024B) サイズ 2N ( バイト ))

источник 1

(SA) + 004Bh
0001 h (00 = Not supported)

источник 2

(SA) + 004Fh 0000h
04 h (= ユニフォーム , 最終セクタを WP 保護により保護設定 ( ユニフォーム ボ)

источник 1

(SA) + 0041h
0052 h (固有 ASCII 文字列のクエリ用「PRI」)

источник 1

(SA) + 001Ah
0000 h ((00h = none exists))

источник 2

(SA) + 0054h
0005 h (Page size = 2N bytes)

источник 2

(SA) + 0023h
0002 h (Max. timeout for single word write 2N times typical)

источник 2

セクタ アドレスで SA
0025 h (-)

источник 1

(SA) + 001Bh
0017 h

источник 1

(SA) + 004Ah
0000 h (00 = 未対応)

источник 1

(SA) + 0078h
0006 h

источник 1

Word address Data Description
0017 h (for VCC = 1.8 V)

источник 2

(SA) + 004Eh
0000 h

источник 1

(SA) + 0047h
0001 h (00 = Not supported)

источник 2

(SA) + 002Bh
0000 h ((00 = 未対応 ))

источник 1

(SA) + 0036h
0000 h

источник 2

(SA) + 0041h
0052 h (Query-unique ASCII string “PRI”)

источник 2

(SA) + 001Ch
0019 h

источник 1

デバイス ID
0071 h (= 256 Mb (3.0 V 時 ))

источник 1

(SA) + 0033h
0000 h (speci- fications))

источник 2

(SA) + 004Bh
0001 h (00 = 未対応)

источник 1

(SA) + 0055h
0006 h (消去一時停止の最大タイムアウト < 2N (µs))

источник 1

パワーオン リセット
80 mA

источник 1

(SA) + 002Ch
0001 h

источник 2

(SA) + 0079h
0009 h

источник 1

(SA) + 002Bh
0000 h ((00 = Not supported))

источник 2

(SA) + 001Dh
0000 h (VPP Min. voltage (00h = no VPP pin present))

источник 2

ル , 5 x 5 ボールアレイのフットプリントで提供されます。パッケージの高さはデバイスによって異なり、
1 mm (または 1.2 mm です。詳細については、注文情報を参照してください。使用中のパッケージについ)

источник 1

VCC および VCCQ
1.7 V (〜 1.95 V)

источник 1

(SA) + 000Fh
0000 h (Device ID)

источник 2

(SA) + 0027h
0019 h ((256 Mb) デバイス サイズ = 2N バイト)

источник 1

(SA) + 0035h
0000 h

источник 1

Table 49
1.8 V (での静電容量特性)

источник 1

(SA) + 0018h
0000 h ((00h = 未使用 ))

источник 1

(SA) + 0050h
0001 h (00 = Not supported)

источник 2

(SA) + 0010h
0051 h

источник 2

(SA) + 0011h
0052 h (Query Unique ASCII string “QRY”)

источник 2

表 50
3.0 V (电容特性)

источник 2

(SA) + 0017h
0000 h (代替 OEM コマンド セット)

источник 1

(SA) + 0020h
0009 h (multi-byte program, 2N µs)

источник 2

(SA) + 004Fh
0000 h

источник 1

出力短絡電流 [84]
100 mA

источник 1

バースト読み出し (166 MHz での連続読み出し )
80 mA

источник 1

(SA) + 004Ch
0000 h (01 = 4 Word Page)

источник 2

領域 0 バイト 10 [ ビット 0] は 0 であると
0010h–0013 h (きは領域 0 をプログラムから保護)

источник 1

Table 51
1.8 V (での電源投⼊ / 電源切断電圧とタイミング)

источник 1

(SA) + 0021h
000 Ah (個別ブロック消去の標準タイムアウト = 2N ms)

источник 1

(SA) + 0033h
0000 h (参照 ))

источник 1

(SA) + 003Ch
0000 h

источник 1

(SA) + 000Ch
0005 h

источник 2

Region 2
0040 h (–005Fh Available for user programming All bytes = FFh)

источник 2

VCC および VCCQ
2.7 V (〜 3.6 V)

источник 1

(SA) + 0043h
0031 h (メジャー バージョン番号 , ASCII)

источник 1

(SA) + 0014h
0000 h (プライマリ OEM コマンド セット)

источник 1

(SA) + 002Ch
0001 h (デバイス内の消去ブロック領域数)

источник 1

ト)
02 h (= 最終セクタ ブート デバイス (WP 保護により保護設定 ) ( ボトム ブート ))

источник 1

トム ブート )
05 h (= ユニフォーム , 先頭セクタを WP 保護により保護設定 ( ユニフォーム)

источник 1

(SA) + 000Eh
0071 h (= 256 Mb @ 3.0 V Device ID)

источник 2

Unlock コマンド 1 を発⾏
555 h (AAh -)

источник 1

(SA) + 001Fh
0009 h (1 ワード書き込み時の標準タイムアウト = 2N µs)

источник 1

表 49
1.8 V (电容特性)

источник 2

(SA) + 000Fh
0000 h (デバイス ID)

источник 1

(SA) + 0032h
0000 h (消去ブロック領域 2 の情報 (JEDEC JESD68-01 または JEP137 仕様を)

источник 1

WP# 保護
00 h (= WP 保護なしのフラッシュ デバイス ( ブートなし ))

источник 1

ワード アドレス データ 説明
001 Ah ((512 Mb))

источник 1

(SA) + 004Eh
0000 h (00 = Not supported)

источник 2

(SA) + 0027h
0019 h ((256 Mb) Device Size = 2N byte)

источник 2

(SA) + 003Bh
0000 h (speci- fications))

источник 2

(SA) + 000Eh
0072 h (= 256 Mb (1.8 V 時 ))

источник 1

(SA) + 004Dh
0000 h

источник 1

Output short circuit current[84]
100 mA

источник 2

(SA) + 0044h
0035 h (Minor version number, ASCII)

источник 2

SA00
0000000 h (〜 001FFFFh セクタ開始アドレス)

источник 1

(SA) +0051h
0000 h (00 = 未対応)

источник 1

VCC and VCCQ
2.7 V to 3.6 V

источник 2

(SA) + 002Ah
0009 h (Max. number of byte in multi-byte write = 2N)

источник 2

(SA) + 000Dh Reserved Upper Software bits
0070 h (= 512 Mb @ 1.8 V)

источник 2

Word address Data Description
001 Ah ((512 Mb))

источник 2

Источники

  1. S26KL512S, S26KS512S, S26KL256S, S26KS256S,

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: (SA) + 0036h; (SA) + 0049h; 書込みバッファ プログラム電流; - 読み出し時のアクティブ クロック停止; (SA) + 0048h; セクタ消去時間 (256 KB = 2 Mb); (SA) + 0044h; (SA) + 0042h; 主アレイ セクタ 0 224 KB 主アレイ セクタ 0 の露出部分; (SA) + 001Eh; (SA) + 0016h; (SA) + 0015h; ウン電流 (512 Mb の場合 ); Table 52; Table 50; (SA) + 000Dh 予約済み 上位ソフトウェア ビット; (SA) + 0028h; (SA) + 0039h; (SA) + 0046h; (SA) + 0034h; (SA) + 0038h; (SA) + 004Ch; 場合 ) V = V max CC CC; (SA) + 0050h; トップ ブート ); (SA) + 0029h; (SA) + 0031h; (SA) + 0013h; (SA) + 0022h; 書き込みバッファ プログラム確認 SA; (SA) + 003Bh; 照してください。; (SA) + 0020h; (SA) + 0021h 000Ah 個別ブロック消去の標準タイムアウト = 2N ms; きは領域 31 をプログラムから保護; (SA) + 0054h; (SA) + 001Dh; (SA) + 003Ah; (SA) + 0037h; (SA) + 002Ah; (SA) + 0024h; (SA) + 001Ah; (SA) + 0023h; (SA) + 0047h; (SA) + 000Ch; (SA) + 0026h; (SA) + 0022h 0011h (256 Mb) チップ全体消去の標準タイムアウト = 2N ms; 場合 ); (SA) + 0025h; セクタ消去電流; (SA) + 0019h; 可能; (SA) + 0052h; (SA) + 004Fh 0000h; (SA) + 0041h; セクタ アドレスで SA; (SA) + 001Bh; (SA) + 004Ah; (SA) + 0078h; (SA) + 004Eh; (SA) + 002Bh; (SA) + 001Ch; デバイス ID; (SA) + 004Bh; (SA) + 0055h; パワーオン リセット; (SA) + 0079h; ル , 5 x 5 ボールアレイのフットプリントで提供されます。パッケージの高さはデバイスによって異なり、; VCC および VCCQ; (SA) + 0027h; (SA) + 0035h; Table 49; (SA) + 0018h; (SA) + 0017h; (SA) + 004Fh; 出力短絡電流 [84]; バースト読み出し (166 MHz での連続読み出し ); 領域 0 バイト 10 [ ビット 0] は 0 であると; Table 51; (SA) + 0021h; (SA) + 0033h; (SA) + 003Ch; (SA) + 0043h; (SA) + 0014h; (SA) + 002Ch; ト); トム ブート ); Unlock コマンド 1 を発⾏; (SA) + 001Fh; (SA) + 000Fh; (SA) + 0032h; WP# 保護; ワード アドレス データ 説明; (SA) + 000Eh; (SA) + 004Dh; SA00; (SA) +0051h

  2. S26KL512S, S26KS512S, S26KL256S, S26KS256S,

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Sector erase current; (SA) + 0028h; Issue Unlock Command 1; (SA) + 0046h; (SA) + 0052h; Power-on reset; (SA) + 003Ah; (SA) + 0043h; (SA) + 0012h; (SA) + 0016h; (SA) + 001Fh; Sector erase time (256 KB = 2 Mb); (SA) + 0032h; (SA) + 0025h; VCC and VCCQ; (SA) + 0078h; programming when = 0; (SA) + 0014h; - 读取期间工作时钟停止; (SA) + 0079h; (SA) + 0019h; (SA) + 0024h; SA; WP# Protection; (SA) +0051h; (SA) + 0017h; (SA) + 001Eh; (SA) + 0018h; (SA) + 0048h; Write buffer programming current; (SA) + 0029h; Region 1; (SA) + 0055h; Burst read (Continuous read at 166 MHz); (SA) + 0040h; Temperature (– VCC = VCC max; (SA) + 0056h; (SA) + 0037h; 表 52; Least significant byte of; SA00; (SA) + 008Bh Die Y coordinate 1 Hex 15 000Fh; (SA) + 004Fh; (SA) + 0022h; (SA) + 0021h; (SA) + 0049h; (SA) + 0026h; (SA) + 004Ah; (SA) + 004Bh; (SA) + 001Ah; (SA) + 0054h; (SA) + 0023h; Word address Data Description; (SA) + 0047h; (SA) + 0036h; (SA) + 0041h; (SA) + 0033h; (SA) + 002Ch; (SA) + 002Bh; (SA) + 001Dh; (SA) + 000Fh; (SA) + 0050h; (SA) + 0010h; (SA) + 0011h; 表 50; (SA) + 0020h; (SA) + 004Ch; (SA) + 000Ch; Region 2; (SA) + 000Eh; 表 49; (SA) + 004Eh; (SA) + 0027h; (SA) + 003Bh; Output short circuit current[84]; (SA) + 0044h; (SA) + 002Ah; (SA) + 000Dh Reserved Upper Software bits; Word address Data Description

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

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