RoboMapХарактеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- Resume Erase / Program / Data Integrity Check
- 7 A
- ビット 17:0= 予約済み =00000h
- 148 h
- (SA) +90h
- 121 h (JEDEC 基本フ FFh 消去タイプ 3 命令)
- バイト 10 [ ビット 0] =「0」のとき、領域 0 をプログ
- 0010 h (〜 0013h ラムから保護します。 全バイト =FFh)
- VCC / VCCQ (HL-T devices)
- 2.7 V to 3.6 V
- (x1 SPI) HB) Description
- 0000 h
- ビット 7= プログラム一時停止に対応 =1b
- 150 h (E0h ビット 6= プログラム再開に対応 =1b)
- ビット 7:5 RFU=111b
- 110 h (EEh ビット 4= 未対応 =0b)
- Bit 8 = Program Write to Buffer Supported = 1b
- 152 h ((SA) + A9h FFh Bit 23 = Memory Write Linear Supported = 1b)
- VCC (HS-T)
- -0.5 V (〜+2.5 V)
- (SA) + 0802h
- 001 Ah (= 512 Mb Device Density)
- (SA) + 0804h
- 0090 h (Family ID: (HL-T/HS-T Family))
- Region 1
- 020 h (to 03Fh Available for User Programming)
- (SA) +0802h
- 001 Ah (= 512 Mb)
- Programmed Random Number
- 0010h–0013 h (Region Locking Bits All Bytes = FFh)
- (SA) +99h DWORD 13 ビット 7:0= プログラム再開命令 =7Ah
- 133 h (B0h)
- (SA) + 0801h
- 006 Ah ((HL-T) Interface Voltage Type)
- 只允许进行一次写入操作（单次写入）的规则适用于较高温度范围（-40°C 至
- +105 °C () 和 (–40°C 至 +125°C) 器件以及所有 AEC-Q100 器件。)
- parameter
- 106 h ((SA) + 83h DWORD-2 FFh)
- Number
- 010h to 013 h (Region Locking Bits All Bytes = FFh)
- 領域 2
- 0040 h (〜 005Fh)
- (SA) +0800h
- 0034 h (インフィニオン メーカー ID)
- ビット 3:2= ステータス レジスタ ポーリング デバイス ビジー =01b
- レガシー ス: 134 h (F7h テータス ポーリングに対応 =05h 命令によるステータス レジスタの読み出しお)
- バイト アドレス (x1 SPI) ワード アドレス (x8 HB) 説明
- 0000 h ((SA) + 0000h JEDEC JESD216D SFDP 空間の位置 0 - SFDP ヘッダの開始)
- flash Bits 23:16 = Erase Resume Instruction = 7Ah
- 131 h (B0h)
- (SA) +0802h 0019h = 256 Mb
- 001 Ah (= 512 Mb デバイス容量)
- デバイスによって異なる
- 04 h
- (SA) +06h セット =0080h
- 01 h ((x1) パラメーター テーブル ポインタ バイト 1)
- (SA) +03h FFh (x1) SPI 1S-1S-1S での起動 (FFh)
- 07 h (xSPI NOR プロファイル 2 HYPERBUS ™、(8D, 8D, 8D) 動作、)
- VCC / VCCQ (HL-Tデバイス)
- 2.7 V (〜3.6 V)
- flash
- 121 h (parameter FFh Erase type 3 instruction)
- (SA) +0Eh フセット =015Ch, x8 ワード オフセット =00AEh
- 01 h ((x1) パラメーター テーブル ポインタ バイト 1)
- メーター ms, 11b
- 1 s () =1S=11b (RFU))
- 出力短絡電流[63]
- 100 mA
- (SA) +91h DWORD 9 N=18) =12h
- 123 h (DCh 消去タイプ 4 命令 =DCh)
- flash ms, 10b
- 128 ms (, 11b: 1 s) = 128 ms = 10b)
- tCL クロック LOW 時間 pCK の 45% –
- 55 % (pCK)
- ms, 10b
- 128 ms (, 11b: 1 s) = 16ms = 01b)
- (SA) +0202h
- 05 h
- VOL 出力 LOW 電圧 ( すべての VCC)
- 0.1 mA (時 – 0.2)
- (SA) +90h
- 121 h (JEDEC 基本 FFh 消去タイプ 3 命令)
- Region 1
- 0020 h (–003Fh Available for User Programming)
- ビット 29= レジスタ リニア読み出しに対応 =1b
- 153 h (FFh ビット 28= メモリ ラップ読み出しに対応 =1b)
- (SA) +0200h
- 01 h
- programming when = 0
- 014 h (to 01Fh Reserved for Future Use (RFU) All Bytes = FFh)
- (SA) +0801h
- 006 Ah ((HL-T))
- デバイス RSFDP_3_0 JEDEC シリアル フラッシュ検出可能パラメーター読み出し
- 5 A (00 00 00 - - - - - Figure 11 156 3)
- parameter
- 12 Ah ((SA) + 95h DWORD-11 FFh = 11b)
- SA00
- 0000000 h (〜 001FFFFh SA00 0000000h 〜 001FFFFh)
- + xx_x1xx_xxxxb
- Software reset (see bits 13: 8 in (this DWORD))
- DWORD 1 ビット 21=WREN2 に対応 =1b
- 152 h (FFh ビット 20=SREN に対応 =1b)
- 部分
- 008000 h (〜 001FFFFh マッピングされます。)
- = 12h
- 123 h (DCh Erase type 4 instruction = DCh)
- Region 2
- 040 h (to 05Fh)
- 注释
- 89.125 °C (、200 MHz、S26HS01GT 设备的特性描述正在进行中。请联系您当地的销售办事处，以确认这些)
- (SA) + 0800h
- 0034 h (Infineon Manufacturer ID)
- SA00
- 0000000 h
- ラムから保護します。
- 0014 h (〜 001Fh 将来に使用するために予約済み (RFU))
- (x1 SPI) (x8 HB) name Data Description
- 150 h
- ms, 10b
- 128 ms (, 11b: 1 s) = 1S = 11b (RFU))
- (SA) +82h
- 105 h (JEDEC 基本 FFh)
- バイト アドレス (x1 SPI) [86] ワードアドレス (x8 HB) [87] データ
- 00 h
- pCK の 45%
- 55 % (pCK Figure 59)
- Region 2
- 0040 h (–005Fh)
- tCH クロック HIGH 時間 pCK の 45% –
- 55 % (pCK)
- 領域 1
- 0020 h (〜 003Fh)
- ms, 11b
- 1 s () =1S=11b (RFU))
- (SA) +0Bh
- 17 h (FFh パラメーター ID MSB (FFh=JEDEC で定義されたパラメーター ))
- tCL Clock Low Time
- 45 % (pCK – 55% pCK)
- Output short circuit current[63]
- 100 mA
- (SA) +0201h
- 03 h
- tCH Clock High Time
- 45 % (pCK – 55% pCK Figure 59)
- 第 2 パラメー
- 50 h ((x1) パラメーター テーブル ポインタ バイト 0 (DWORD は 4 バイト境界 ))
- (SA) +92h 11b
- 1s) =128 ms: 125 h (FAh =10b)
- 領域 2
- 040 h (〜 05Fh 全バイト =FFh)
- VCC (HL-T)
- -0.5 V (〜+4.0 V)
- プログラムから保護します。
- 010 h (〜 013h ... 全バイト =FFh)
- (SA) +82h
- 105 h (FFh)
- ビット 13= セクタ消去に対応 =1b
- 151 h (FFh ビット 12= チップ消去に対応 =1b)
- 領域 1
- 020 h (〜 03Fh)
- VCC / VCCQ (HS-Tデバイス)
- 1.7 V (〜2.0 V)
- flash
- 149 h
- VCC / VCCQ (HS-T devices)
- 1.7 V to 2.0 V
- / 再開 RSEPD_0_0 消去 / プログラム / データ整合性チェックの再開トランザ
- 7 A (- - - - - - - -)
- (SA) +0203h
- 07 h
- 部分
- 0010000 h (〜 001FFFFh マッピングされます。)
- パラメーター ms, 11b
- 1 s () =1S=11b (RFU))
- Region 0
- 000 h (LSB of Infineon Programmed Random Infineon Programmed Random)
- (SA) +0804h
- 0090 h (ファミリ ID: (HL-T/HS-T ファミリ ))
- parameter
- 14 Ah ((SA) + A5h DWORD-19)
- Bit 16 = Configuration Register Load Supported = 1b
- 153 h (FFh Bit 31 = xSPI Profile 2 Supported = 1b)
- Region 0
- 0000 h
- ビット 4=1b
- 100 h (F7h ビット 3= ブロック保護ビットは不揮発性 / 揮発性。不揮発性 =0b)
- programming when = 0
- 0014 h (–001Fh Reserved for Future Use (RFU) –)
- をプログラムから保護します。
- 014 h (〜 01Fh 将来使用するために予約済み (RFU))
- (SA) +0802h
- 0019 h (= 256 Mb)
- flash Density in bits, zero based, 1Gb = 3FFFFFFFh
- 105 h (FFh)
Источники
- S26HS512T, S26HS01GT,
страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: Resume Erase / Program / Data Integrity Check; VCC / VCCQ (HL-T devices); (x1 SPI) HB) Description; Bit 8 = Program Write to Buffer Supported = 1b; (SA) + 0802h; (SA) + 0804h; Region 1; Programmed Random Number; (SA) + 0801h; 只允许进行一次写入操作（单次写入）的规则适用于较高温度范围（-40°C 至; parameter; Number; flash Bits 23:16 = Erase Resume Instruction = 7Ah; flash; flash ms, 10b; ms, 10b; programming when = 0; + xx_x1xx_xxxxb: Software reset (see bits 13; = 12h; Region 2; 注释：; (SA) + 0800h; (x1 SPI) (x8 HB) name Data Description; tCL Clock Low Time; Output short circuit current[63]; tCH Clock High Time; VCC / VCCQ (HS-T devices); Region 0; Bit 16 = Configuration Register Load Supported = 1b; flash Density in bits, zero based, 1Gb = 3FFFFFFFh
- S26HS512T, S26HS01GT,
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: ビット 17:0= 予約済み =00000h; バイト 10 [ ビット 0] =「0」のとき、領域 0 をプログ; ビット 7= プログラム一時停止に対応 =1b; ビット 7:5 RFU=111b; VCC (HS-T); (SA) +0802h; (SA) +99h DWORD 13 ビット 7:0= プログラム再開命令 =7Ah; 領域 2; (SA) +0800h; ビット 3:2= ステータス レジスタ ポーリング デバイス ビジー =01b: レガシー ス; バイト アドレス (x1 SPI) ワード アドレス (x8 HB) 説明; デバイスによって異なる; (SA) +06h セット =0080h; (SA) +03h FFh (x1) SPI 1S-1S-1S での起動 (FFh); VCC / VCCQ (HL-Tデバイス); (SA) +0Eh フセット =015Ch, x8 ワード オフセット =00AEh; 出力短絡電流[63]; (SA) +91h DWORD 9 N=18) =12h; tCL クロック LOW 時間 pCK の 45% –; (SA) +0202h; VOL 出力 LOW 電圧 ( すべての VCC); (SA) +90h; ビット 29= レジスタ リニア読み出しに対応 =1b; (SA) +0200h; (SA) +0801h; デバイス RSFDP_3_0 JEDEC シリアル フラッシュ検出可能パラメーター読み出し -; SA00; DWORD 1 ビット 21=WREN2 に対応 =1b; 部分; ラムから保護します。; (SA) +82h; バイト アドレス (x1 SPI) [86] ワードアドレス (x8 HB) [87] データ; pCK の 45%; tCH クロック HIGH 時間 pCK の 45% –; 領域 1; ms, 11b; (SA) +0Bh; (SA) +0201h; 第 2 パラメー; (SA) +92h 11b: 1s) =128 ms; VCC (HL-T); プログラムから保護します。; ビット 13= セクタ消去に対応 =1b; VCC / VCCQ (HS-Tデバイス); / 再開 RSEPD_0_0 消去 / プログラム / データ整合性チェックの再開トランザ -; (SA) +0203h; パラメーター ms, 11b; (SA) +0804h; ビット 4=1b; をプログラムから保護します。
- S26HS512T, S26HS01GT,
страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: (SA) +90h; (SA) +0802h 0019h = 256 Mb; メーター ms, 11b; SA00; (SA) +82h; (SA) +0802h