RoboMap
Тема оформления
Модель

S25FS512S

Производитель: Infineon

60
характеристик
1
источников

О модели

S25FS512S - модель производителя Infineon.

60 характеристик приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 1 источника, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

注释
60. A

источник 1

注释
62. A

источник 1

JEDEC (00b
1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) = 16mS)

источник 1

... FFh RFU
0 Ah (FFh)

источник 1

Physical Sector Architecture
00 h ((Uniform 256-KB)

источник 1

Config-1 Region-2
03 h (1b)

источник 1

Fast Read Speed (SDR)
16.5 MB

источник 1

Bit 3 – AutoBoot support – No = 1b
02 h (EBh Bit 2 – 4 byte address instructions supported – Yes= 0b)

источник 1

SA7
00007000 h (-00007FFFh)

источник 1

tWL, tCL Clock LOW time
50 % (PSCK - 5% 50% PSCK + 5%)

источник 1

SA9
00040000 h (-0007FFFFh Sector Ending Address)

источник 1

主控的模式位与从内存返回数据之间的总线切换时间。
56. A

источник 1

在 QPI 模式下,可以通过读取任何寄存器指令读取配置寄存器 1,请参阅94页“读取任何寄存器” (RDAR
65 h ()”。)

источник 1

Storage temperature plastic packages
-65°C to +150 °C

источник 1

Ambient temperature with power applied
-65°C to +125 °C

источник 1

VCC
-0.5 V to +2.5 V

источник 1

,,, Remainder of SFDP header followed by undefined space
1000 h

источник 1

指令时序和行为与PP或 4PP 指令相同,仅提供单个字节的数据。请参阅“页编程(PP 02h 或 4PP
12 h ()” 在 108页。)

источник 1

Advanced Sector Protection type, model dependent
05 h (xxh)

источник 1

offset
00 h (-- N/A A5h CFI Parameter ID (JEDEC SFDP))

источник 1

SA00
00000000 h (-0003FFFFh)

источник 1

Supply Voltage
1.7 V - 2.0 V (2.7 V - 3.6 V 2.7 V - 3.6 V)

источник 1

Byte address Description
0000 h

источник 1

Byte address Data Description
35 h (FEh)

источник 1

EPR
7 A (Required to resume from erase or)

источник 1

address offset
00 h (F0h Parameter ID (RFU))

источник 1

SA00
00000000 h (-00000FFFh)

источник 1

注释
53. A

источник 1

(00b
1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) = 16mS)

источник 1

EPR Erase / Program Resume
7 A

источник 1

Parameter Table Pointer Byte 0 (Dword = 4 byte aligned)
24 h (D8h)

источник 1

Page Programming Rate 0.71 MB/s (256B)
1.2 MB (/s (256B))

источник 1

/Program EPR
8 A

источник 1

S25FS512S 的指令子集和封装与上一代 FL-S、FL-K 和 FL-P 系列兼容。然而,电源和接口电压标称值为
1.8 V (。)

источник 1

Dual Read Speed (SDR)
33 MB

источник 1

Input voltage with respect to Ground (VSS)[13]
-0.5 V (to VCC + 0.5 V)

источник 1

SA00
0000000 h (-003FFFFh)

источник 1

VCC
1.7 V to 2.0 V

источник 1

Quad Read Speed (SDR)
66 MB

источник 1

Notes
48. A

источник 1

+ xx_x1xx_xxxxb
Software reset (see bits 13: 8 in (this)

источник 1

注释
51. A (= 地址最高有效位 = 23(CR2V[7] = 0),或 31(CR2V[7] = 1 或指令 13h)。)

источник 1

Output short circuit current[14]
100 mA

источник 1

ID RSFDP
5 A (50 3 Yes)

источник 1

Operating Temperature
-40°C to +85°C / +105 °C (-40°C to +85°C -40°C to +85°C / +105°C)

источник 1

(00b
1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) = 1S =)

источник 1

uration using instruction 71h followed by address
800003 h (.. This configuration is volatile.)

источник 1

WVDLR Write Volatile Data Learning Register
4 A (133 0)

источник 1

name t state
00 h (= DYB for the sector addressed by the DYBRD or DYBWR)

источник 1

name t state
00 h (= PPB for the sector addressed by the PPBRD or PPBP)

источник 1

(typ.)
1.08 MB (/s (512B) 1.5 MB/s (512B))

источник 1

Quad Read Speed (DDR) 80 MB/s (80 MHz)
80 MB (/s (80 MHz) — —)

источник 1

注释
72. A

источник 1

Parameter ID LSB (Cypress Vendor Specific ID-CFI
30 h

источник 1

注释
58. A

источник 1

tWH, tCH Clock HIGH time
50 % (PSCK - 5% 50% PSCK + 5%)

источник 1

(00b
1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) = 128mS)

источник 1

Config-3 Region-0
03 h (1b)

источник 1

Источники

  1. S25FS512S

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: 注释:; JEDEC (00b; ... FFh RFU; Physical Sector Architecture; Config-1 Region-2; Fast Read Speed (SDR); Bit 3 – AutoBoot support – No = 1b; SA7; tWL, tCL Clock LOW time; SA9; 主控的模式位与从内存返回数据之间的总线切换时间。; 在 QPI 模式下,可以通过读取任何寄存器指令读取配置寄存器 1,请参阅94页“读取任何寄存器” (RDAR; Storage temperature plastic packages; Ambient temperature with power applied; VCC; ,,, Remainder of SFDP header followed by undefined space; 指令时序和行为与PP或 4PP 指令相同,仅提供单个字节的数据。请参阅“页编程(PP 02h 或 4PP; Advanced Sector Protection type, model dependent; EPR; offset; SA00; Supply Voltage; Byte address Description; Byte address Data Description; address offset; (00b; EPR Erase / Program Resume; Parameter Table Pointer Byte 0 (Dword = 4 byte aligned); Page Programming Rate 0.71 MB/s (256B); /Program EPR; S25FS512S 的指令子集和封装与上一代 FL-S、FL-K 和 FL-P 系列兼容。然而,电源和接口电压标称值为; Dual Read Speed (SDR); Input voltage with respect to Ground (VSS)[13]; Quad Read Speed (SDR); Notes; + xx_x1xx_xxxxb: Software reset (see bits 13; Output short circuit current[14]; ID RSFDP; Operating Temperature; uration using instruction 71h followed by address; WVDLR Write Volatile Data Learning Register; name t state; name t state; (typ.); Quad Read Speed (DDR) 80 MB/s (80 MHz); Parameter ID LSB (Cypress Vendor Specific ID-CFI; tWH, tCH Clock HIGH time; Config-3 Region-0

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.