RoboMap
Тема оформления
Модель

S25FS128S S25FS256S

Производитель: Infineon

61
характеристик
1
источников

О модели

S25FS128S S25FS256S - модель производителя Infineon.

61 характеристика приведена словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 1 источника, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

tWH, tCH Clock high time
50 % (PSCK – 5% – 50% PSCK + 5% ns)

источник 1

SA09
00010000 h (–0001FFFFh)

источник 1

Supply voltage
1.7 V–2.0 V (2.7 V–3.6 V 2.7 V–3.6 V)

источник 1

Output short circuit current
100 mA

источник 1

在 QPI 模式下,可以通过读取任何寄存器指令读取配置寄存器 1,请参阅111页“读取任何寄存器” (RDAR
65 h ()”。)

источник 1

EPR
8 A (X X Required to resume from erase or program suspend.)

источник 1

Physical Sector Architecture
00 h

источник 1

(00h = not supported)
08 h ((4 kB or 64 kB))

источник 1

Config-1
01 h (supported = 1)

источник 1

ACh AAh Map
00 h (256KB sectors)

источник 1

Device ID RSFDP
5 A (50 3 Yes)

источник 1

SA09
00040000 h (–0007FFFFh)

источник 1

Bit 3 - AutoBoot support - No = 1b
02 h (EBh Bit 2 - 4 byte address instructions supported - Yes = 0b)

источник 1

(00b
1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) = 16 ms)

источник 1

Byte address Data Description
18 h ((128 Mb))

источник 1

SA00
00000000 h (–00000FFFh)

источник 1

bits 13
8 in (this DWORD) + xx_1xxx_xxxxb: Power cycle)

источник 1

Byte address Description
0000 h

источник 1

... FFh RFU
10 h (FFh RFU)

источник 1

Config-5
01 h

источник 1

A4h A2h Parameter
00 h (Bits 7:2 = RFU = 111111b)

источник 1

VCC
1.7 V to 2.0 V

источник 1

state
00 h (= PPB for the sector addressed by the)

источник 1

SA07
00007000 h (–00007FFFh)

источник 1

tWL, tCL Clock low time
45 % (PSCK – – ns)

источник 1

EPR
8 A (133 0 Yes)

источник 1

state
00 h (= DYB for the sector addressed by)

источник 1

EPR
8 A (X – Required to resume from erase suspend.)

источник 1

Parameter
00 h

источник 1

Parameter
00 h (Bit 3 = Erase Type 4 support = 0b ---Erase Type 4 is not)

источник 1

(00b
1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) = 128 ms)

источник 1

ABh A9h
05 h (Bits 23:16 = Region count (Dwords – 1) = 00h: One)

источник 1

Region-0
01 h

источник 1

JEDEC
32 MB (/256 = 131072, value = count – 1 = 131072 – 1 =)

источник 1

Region-2
01 h (Bit 3 = Erase Type 4 support = 0b ---Erase Type 4 is not)

источник 1

Adding this value to the current location of
03 h (gives the address of the last valid)

источник 1

件复位状态。
30 h (非易失性 CR3NV[2]:此位控制使用的 30h 指令代码的 POR、硬件复位或软件复位状态。)

источник 1

S25FS-S 系列的指令子集和封装与上一代 FL-S、FL-K 和 FL-P 系列兼容。 但是电源和接口电压标称值为
1.8 V (。)

источник 1

operations
read configuration using instruction: 65 h (followed by address 800003h, set bit 6, write)

источник 1

EPR
7 A (X X Required to resume from erase or program suspend.)

источник 1

the next parameter)
02 h (FFh RFU)

источник 1

SA00
0000000 h (–0000FFFFh)

источник 1

Parameter
00 h (1FBFFh)

источник 1

SA00
0000000 h (–000FFFFh)

источник 1

EPR
7 A (X – Required to resume from erase suspend.)

источник 1

Config-2
01 h (Bit 2 = Erase Type 3 support = 0b ---Erase Type 3 is 256KB)

источник 1

Advanced Sector Protection type, model dependent
05 h (xxh)

источник 1

+105°C / +125°C
+105 °C (+105°C)

источник 1

address offset
00 h (F0h Parameter ID (RFU))

источник 1

Dword-24
00 h

источник 1

Dword-10
00 h (Bits 7:4 = RFU = Fh Erase Type not supported = 0/)

источник 1

A3h A1h Sector
04 h (Bits 23:16 = Region count (Dwords – 1) = 00h: One region)

источник 1

WVDLR
4 A (133 0 No)

источник 1

SA00
00000000 h (–0003FFFFh)

источник 1

tWL, tCL Clock low time
50 % (PSCK – 5% – 50% PSCK + 5% ns)

источник 1

SA00
0000000 h (–003FFFFh)

источник 1

offset offset
00 h (-- N/A A5h CFI Parameter ID (JEDEC SFDP))

источник 1

Config-3
01 h (Bit 2 = Erase Type 3 support = 1b ---Erase Type 3 is 256KB)

источник 1

空检非易失性 CR3NV[5]:该位控制着空检期间的POR 、硬件复位或软件复位状态。
02 h (非易失性 CR3NV[4]:该位控制页编程缓冲地址回卷的POR 、硬件复位或软件复位状态。)

источник 1

tWH, tCH Clock high time
45 % (PSCK – – ns)

источник 1

Erase EPR Erase / Program Resume
7 A (133 0 Yes)

источник 1

Источники

  1. S25FS128S, S25FS256S

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: tWH, tCH Clock high time; SA09; Supply voltage; Output short circuit current; 在 QPI 模式下,可以通过读取任何寄存器指令读取配置寄存器 1,请参阅111页“读取任何寄存器” (RDAR; EPR; Physical Sector Architecture; (00h = not supported); Config-1; ACh AAh Map; Device ID RSFDP; Bit 3 - AutoBoot support - No = 1b; (00b; Byte address Data Description; SA00; bits 13; Byte address Description; ... FFh RFU; Config-5; A4h A2h Parameter; VCC; state; SA07; tWL, tCL Clock low time; Parameter; ABh A9h; Region-0; JEDEC; Region-2; Adding this value to the current location of; 件复位状态。; S25FS-S 系列的指令子集和封装与上一代 FL-S、FL-K 和 FL-P 系列兼容。 但是电源和接口电压标称值为; operations: read configuration using instruction; the next parameter); Config-2; Advanced Sector Protection type, model dependent; +105°C / +125°C; address offset; Dword-24; Dword-10; A3h A1h Sector; WVDLR; tWL, tCL Clock low time; offset offset; Config-3; 空检非易失性 CR3NV[5]:该位控制着空检期间的POR 、硬件复位或软件复位状态。; tWH, tCH Clock high time; Erase EPR Erase / Program Resume

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.