S25FS064S

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

FFh = 未対応

79 h (xxh ブロック保護タイプ , モデル依存)

источник 1

WVDLR 揮発性データ ラーニング レジスタ書

4 A (133 0 無)

источник 1

ウンドを増やすためにホストは駆動をオフにできます。

47. A

источник 1

Notes

58. A

источник 2

Note

44. A

источник 2

出力短絡電流[69]

100 mA

источник 1

EPR

8 A (X X 一時停止中の消去 / プログラムを再開するために必要)

источник 1

デュアル読み出し速

33 MB

источник 1

tWL, tCL Clock LOW time

45 % (PSCK – ns)

источник 2

Parameter ms, 01b

256 ms (, 10b: 4 s, 11b: 64 s) = 64Mb = 4s =)

источник 3

Note

57. A

источник 2

RSFDP Read JEDEC Serial Flash Discoverable

5 A (50 3 Yes)

источник 2

注释

57. A

источник 3

在 256 字节边界回卷加载地址。

20 h (易失性 CR3V[3]：该位控制主存储器阵列地址映射中 4 KB 参数扇区的可用性。参数扇区可以覆盖器件)

источник 3

注释

56. A

источник 3

注释

58. A

источник 3

EPR

7 A (X X Required to resume from erase or program suspend.)

источник 2

RSFDP Read JEDEC Serial Flash

5 A (50 3 Yes)

источник 3

Quad read speed

66 MB

источник 2

(00b

1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) =)

источник 3

A9h A7h Region-0

00 h (Bits 7:4 = RFU = Fh)

источник 2

オフセット

83 h (F0h パラメーター ID (RFU))

источник 1

クアッド読み出し速

66 MB

источник 1

FFh = not supported

7 Ah (xxh Advanced Sector Protection type, model dependent)

источник 2

注释

50. A (= 地址最高有效位 = 23（CR2V[7] = 0），或 31（CR2V[7] = 1）或指令 EEh。)

источник 3

WVDLR Write Volatile Data Learning Register

4 A (133 0 No)

источник 2

注释

37. A

источник 3

ACh AAh ター

00 h (ビット 15:8 = コンフィギュレーション ID =)

источник 1

合 )。

62. A (= アドレスの MSB = 31 (E1h コマンド )。)

источник 1

NVDLP データ OTP

00 h

источник 1

Note

42. A

источник 2

Notes

63. A

источник 2

Output short circuit current

100 mA

источник 2

B1h AFh Region-0

00 h (Bits 7:4 = RFU = Fh)

источник 2

A3h A1h Sector Map

04 h (Bits 23:16 = Region count (Dwords – 1) = 00h: One)

источник 2

高速読み出し速度

16.5 MB

источник 1

A3h A1h タ マップ

04 h (ビット 23:16 = 領域カウント (Dword - 1) = 00h: 1)

источник 1

EPR

8 A (X Required to resume from erase suspend.)

источник 2

電源電圧

1.7 V (〜 2.0 V 1.7 V 〜 2.0 V 2.7 V 〜 3.6 V / 2.7 V 〜 3.6 V)

источник 1

クアッド読み出し速

80 MB (/s (80 MHz) 80 Mb/s(80 MHz) 66 MB/s (66 MHz) –)

источник 1

EPR

8 A (X X Required to resume from erase or program suspend.)

источник 2

注释

43. A (= 地址最高有效位 = 23（CR2V[7] = 0），或 31（CR2V[7] = 1 或指令 0Ch）。)

источник 3

= 00111b ( 標準消去時間 = カウント +1 * 単位 =

8*128 ms (= 1024ms))

источник 1

不揮発性ビットが混在します。

06 h (命令はレジスタの書き込みを可能にするために使)

источник 1

器，以增加主控的模式位与从内存返回数据之间的总线切换时间。

47. A (= 地址最高有效位 = 23（CR2V[7] = 0），或 31（CR2V[7] = 1）或指令 BBh。)

источник 3

Note

53. A

источник 2

オフセット オフセット

00 h (-- 該当なし A5h CFI パラメーター ID (JEDEC SFDP))

источник 1

ルド名 ト状態

00 h (= PPBRD または PPBP コマンドでアドレス指定さ)

источник 1

注释

55. A

источник 3

,,, SFDP ヘッダの残りの部分に続いて未定義の空間

1000 h (ID-CFI 空間内のロケーション 0: ID-CFI パラメーター テーブルの開始)

источник 1

注释

41. A (= 地址最高有效位 = 23（对于地址长度 CR2V[7] = 0），或 31（对于 CR2V[7] = 1）。)

источник 3

(CR3NV[3]) をプログラムできます。フラッシュ デバイス ドライバー ソフトウェアは後で TBPARM と

20 h (_NV ビットを確認し、セクタ マップが反転されたかハイブリッド セクタが除去されたかを判定す)

источник 1

Parameter ms, 01b

256 ms (, 10b: 4 s, 11b: 64 s) = 64Mb = 4s = 10b;)

источник 2

+ xx_x1xx_xxxxb

Software reset (see bits 13: 8 in (this)

источник 2

EPR

7 A (X 一時停止中の消去を再開するために必要です。)

источник 1

... ID-CFI パラメーター

1090 h (CFI パラメーター テーブルの 1 つとしてグループ化された SFDP パラメーター テーブ)

источник 1

(00b

1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) = 128mS)

источник 2

the next parameter)

85 h (FFh RFU)

источник 3

Notes

37. A

источник 2

EPR

7 A (X Required to resume from erase suspend.)

источник 2

Quad read speed

80 MB (/s (80 MHz) 80 Mb/s(80 MHz) 66 MB/s (66 MHz) –)

источник 2

EPR 消去 / プログラム再開 ( 代替命令 )

8 A (133 0 有)

источник 1

supported

79 h (xxh Block protect type, model dependent)

источник 2

(00b

1 ms (, 01b: 16ms, 10b:128ms, 11b: 1s) = 128ms = 10b)

источник 1

注释

53. A

источник 3

byte address offset

83 h (F0h Parameter ID (RFU))

источник 2

Note

41. A

источник 2

通常読み出し速度

6 MB (/s (50 MHz) 6 MB/s (50 MHz) 6 MB/s (50 MHz) 5 MB/s (40 MHz))

источник 1

FFh = 未対応

7 Ah (xxh 高度セクタ保護タイプ , モデル依存)

источник 1

tWL, tCL クロック LOW 時間

45 % (PSCK – ns)

источник 1

tWH, tCH クロック HIGH 時間

45 % (PSCK – ns)

источник 1

Normal read speed

6 MB (/s (50 MHz) 6 MB/s (50 MHz) 6 MB/s (50 MHz) 5 MB/s (40 MHz))

источник 2

FS-S 系列的指令集和封装与先前的 FL-S、 FL1-K 和 FL-P 系列相兼容。然而，电源和接口电压标称值为

1.8 V (。)

источник 3

Dual read speed

33 MB

источник 2

ACh AAh Dword-25

00 h (Bits 15:8 = Configuration ID = 05h: Uniform 256 KB)

источник 2

合 )。

38. A (= アドレスの MSB = 31 (18h コマンド )。)

источник 1

+ xx_x1xx_xxxxb

Software reset (see bits 13: 8 in

источник 3

from108Eh from1090h name

00 h (-- N/A A5h CFI Parameter ID (JEDEC SFDP))

источник 2

Notes

48. A

источник 2

Notes

39. A

источник 2

,,, Remainder of SFDP header followed by undefined space

1000 h

источник 2

Note

43. A

источник 2

temperature

+105 °C (+105°C/+125°C +105°C +105°C)

источник 2

合 )。

59. A (= アドレスの MSB = 31 (E0h コマンド )。)

источник 1

Fast read speed

16.5 MB

источник 2

ADh ABh Dword-25 FFh

05 h (: ユニフォーム 256 KB セクタ)

источник 1

し RSFDP JEDEC シリアル フラッシュ検出可能

5 A (50 3 有)

источник 1

... ID-CFI parameters

1090 h

источник 2

A9h A7h 設定 4

00 h (カウント - 1 = 32768 - 1 = 32767= 7FFFh)

источник 1

(00b

1 ms (, 01b: 16ms, 10b:128ms, 11b: 1s) = 16ms = 01b)

источник 1

tWH, tCH Clock HIGH time

45 % (PSCK – ns)

источник 2

ABh A9h Sector Map

05 h (Bits 23:16 = Region count (Dwords – 1) = 00h: One)

источник 2

B1h AFh 設定 5

00 h (カウント - 1 = 32768 - 1 = 32767= 7FFFh)

источник 1

= 01110b ( 標準消去時間 = カウント +1 * 単位 =

15*16 ms (= 240ms))

источник 1

イトになります。)

85 h (FFh RFU)

источник 1

EPR

7 A (X X 一時停止中の消去 / プログラムを再開するために必要)

источник 1

tWH, tCH Clock HIGH time

50 % (PSCK -5% 50% PSCK +5% ns)

источник 2

Note

45. A

источник 2

Page programming

1.0 MB (/s (256 B) 1.0 MB/s (256 B) 1.2 MB/s (256 B) 170 KB/s)

источник 2

ACh AAh Dword-25

00 h (Bits 15:8 = Configuration ID = 05h: Uniform 256)

источник 3

next parameter)

85 h (FFh RFU)

источник 2

注释

63. A

источник 3

ABh A9h タ マップ

05 h (ビット 23:16 = 領域カウント (Dword - 1) = 00h: 1)

источник 1

ルド名 ト状態

00 h (= DYBRD または DYBWR コマンドでアドレス指定さ)

источник 1

Note

56. A

источник 2

EPR

8 A (X 一時停止中の消去を再開するために必要です。)

источник 1

SA30

00780000 h (〜)

источник 1

合 )。

64. A (= アドレスの MSB = 31 (E2h コマンド )。)

источник 1

Output short circuit current[69]

100 mA

источник 3

注释

44. A (= 地址最高有效位 = 23（CR2V[7] = 0）或 31（CR2V[7] = 1）或指令 3Ch。)

источник 3

Byte address Description

0000 h

источник 2

Notes

50. A

источник 2

合 )。

66. A (= アドレスの MSB = 31 (E3h コマンド )。)

источник 1

SA07

00007000 h (〜)

источник 1

除操作。

02 h (易失性 CR3V[4]:该位控制页编程缓存区大小。传统的SPI设备通常使用 256 字节页的编程缓存)

источник 3

SA07

00007000 h (– address)

источник 2

A4h A2h ター

00 h (ビット 15:8 = コンフィギュレーション ID =)

источник 1

注释

48. A (= 地址最高有效位 = 23（CR2V[7] = 0），或 31（CR2V[7] = 1）或指令 ECh。)

источник 3

SA07

00007000 h (– ending)

источник 3

EPR 消去 / プログラム再開

7 A (133 0 有)

источник 1

of operations

read configuration using instruction: 65 h (followed by address 800003h, clear bit 6, write)

источник 2

Notes

61. A

источник 2

tWL, tCL Clock LOW time

50 % (PSCK -5% 50% PSCK +5% ns)

источник 2

在 QPI 模式下，配置寄存器 1 可以通过 读取任意寄存器 指令读取，请参阅读取任意寄存器 （RDAR

65 h () 。)

источник 3

注释

45. A (= 地址最高有效位 = 23（CR2V[7] = 0），或 31（CR2V[7] = 1）或指令 6Ch。)

источник 3

EPR Erase / Program Resume

7 A (133 0 Yes)

источник 2

(00b

1 ms (, 01b: 16 ms, 10b: 128 ms, 11b: 1 s) = 16mS)

источник 2

+105°C

+105°C/+125 °C (+105°C +105°C)

источник 1

Bits 15:8 = Configuration detection instruction =

65 h (: Read any register)

источник 2

ページ プログラム速

1.0 MB (/s (256 B) 1.0 MB/s (256 B) 1.2 MB/s (256 B) 170 KB/s)

источник 1

注释

39. A

источник 3

与 CR3NV[3] 的值不同的值。 CR3V[3]的值只能通过写入CR3NV[3]来改变。

30 h (易失性 CR3V[2]：该位控制 30h 指令代码的使用方式。该指令可用作清除状态指令或备用编程/)

источник 3

度 (Typ)

1.2 MB (/s (512 B) 1.2 MB/s (512 B) 1.5 MB/s (512 B))

источник 1

注释

54. A

источник 3

Note

54. A

источник 2

A4h A2h Dword-23

00 h (Bits 15:8 = Configuration ID = 04h: Uniform 64 KB)

источник 2

rate (typ.)

1.2 MB (/s (512 B) 1.2 MB/s (512 B) 1.5 MB/s (512 B))

источник 2

注释

61. A

источник 3

注释

42. A (= 地址最高有效位 = 23（CR2V[7] = 0），或 31（CR2V[7] = 1 或指令 13h）。)

источник 3

VCC

1.7 V to 2.0 V

источник 2

tWH, tCH クロック HIGH 時間

50 % (PSCK -5% 50% PSCK +5% ns)

источник 1

Note

55. A

источник 2

tWL, tCL クロック LOW 時間

50 % (PSCK -5% 50% PSCK +5% ns)

источник 1

EPR Erase / Program Resume (alternate

8 A (133 0 Yes)

источник 2

Supply Voltage

1.7 V–2.0 V (1.7 V–2.0 V 2.7 V–3.6 V / 2.7 V–3.6 V)

источник 2

バイト アドレス 説明

0000 h (JEDEC JESD216B SFDP 空間内のロケーション 0: SFDP ヘッダの開始)

источник 1

VCC

1.7 V (〜 2.0 V)

источник 1

合 )。

40. A (= アドレスの MSB = 31 (18h コマンド )。)

источник 1

A5h A3h Dword-23 FFh

04 h (: ユニフォーム 64 KB セクタ)

источник 1

Источники

1. S25FS064S

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: FFh = 未対応; WVDLR 揮発性データ ラーニング レジスタ書; ウンドを増やすためにホストは駆動をオフにできます。; 出力短絡電流[69]; EPR; デュアル読み出し速; オフセット; クアッド読み出し速; ACh AAh ター; 合 )。; NVDLP データ OTP; 高速読み出し速度; A3h A1h タ マップ; 電源電圧; = 00111b ( 標準消去時間 = カウント +1 * 単位 =; 不揮発性ビットが混在します。; オフセット オフセット; ルド名 ト状態; ,,, SFDP ヘッダの残りの部分に続いて未定義の空間; (CR3NV[3]) をプログラムできます。フラッシュ デバイス ドライバー ソフトウェアは後で TBPARM と; ... ID-CFI パラメーター; EPR 消去 / プログラム再開 ( 代替命令 ); (00b; 通常読み出し速度; tWL, tCL クロック LOW 時間; tWH, tCH クロック HIGH 時間; ADh ABh Dword-25 FFh; し RSFDP JEDEC シリアル フラッシュ検出可能; A9h A7h 設定 4; B1h AFh 設定 5; = 01110b ( 標準消去時間 = カウント +1 * 単位 =; イトになります。); ABh A9h タ マップ; ルド名 ト状態; SA30; SA07; A4h A2h ター; EPR 消去 / プログラム再開; +105°C; ページ プログラム速; 度 (Typ); tWL, tCL クロック LOW 時間; バイト アドレス 説明; VCC; A5h A3h Dword-23 FFh

2. S25FS064S

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Notes; Note; tWL, tCL Clock LOW time; RSFDP Read JEDEC Serial Flash Discoverable; EPR; Quad read speed; A9h A7h Region-0; FFh = not supported; WVDLR Write Volatile Data Learning Register; Output short circuit current; B1h AFh Region-0; A3h A1h Sector Map; Parameter ms, 01b; + xx_x1xx_xxxxb: Software reset (see bits 13; (00b; supported; byte address offset; Normal read speed; Dual read speed; ACh AAh Dword-25; from108Eh from1090h name; ,,, Remainder of SFDP header followed by undefined space; temperature; Fast read speed; ... ID-CFI parameters; tWH, tCH Clock HIGH time; ABh A9h Sector Map; tWH, tCH Clock HIGH time; Page programming; next parameter); Byte address Description; SA07; of operations: read configuration using instruction; tWL, tCL Clock LOW time; EPR Erase / Program Resume; Bits 15:8 = Configuration detection instruction =; A4h A2h Dword-23; rate (typ.); VCC; EPR Erase / Program Resume (alternate; Supply Voltage

3. S25FS064S

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Parameter ms, 01b; 注释：; 在 256 字节边界回卷加载地址。; RSFDP Read JEDEC Serial Flash; (00b; 器，以增加主控的模式位与从内存返回数据之间的总线切换时间。; the next parameter); FS-S 系列的指令集和封装与先前的 FL-S、 FL1-K 和 FL-P 系列相兼容。然而，电源和接口电压标称值为; + xx_x1xx_xxxxb: Software reset (see bits 13; ACh AAh Dword-25; Output short circuit current[69]; 除操作。; SA07; 在 QPI 模式下，配置寄存器 1 可以通过 读取任意寄存器 指令读取，请参阅读取任意寄存器 （RDAR; 与 CR3NV[3] 的值不同的值。 CR3V[3]的值只能通过写入CR3NV[3]来改变。