restricted

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

表 9-3

1.8 V (电容特性[50、51、 52])

источник 1

C0h or E0h

00 h (02h 00h 00h 00h - 11h)

источник 1

Configuration Register 1 Read - Die 1 C0h or E0h

01 h (01h 00h 00h 01h)

источник 1

Table 9-8

1.8 V (Power-Down Voltage and Timing[57])

источник 2

Charged Device Model (JEDEC Std JESD22-C101-A)

500 V

источник 2

Configuration Register 1 Read - Die 0 C0h or E0h

00 h (01h 00h 00h 01h)

источник 1

表 9-9

3.0 V (掉电电压及时序[57])

источник 1

表 9-4

3.0 V (电容特性[50、51、 52])

источник 1

Configuration Register 0 Read - Die 1 C0h or E0h

01 h (01h 00h 00h 00h)

источник 1

Current (-40 °C to Bottom 1/2 Array

+125 °C () CS# = VCC, VCC = 3.6 V;)

источник 1

Identification Register 0 Read - Die 1[40] C0h or E0h

01 h (00h 00h 00h 00h)

источник 1

英 飞 凌 HyperRAM（ 自 刷 新 DRAM ）

3.0 V/1.8 V (、128-Mbit、车规级-E（1 级）)

источник 1

带电器件模型 ( JEDEC Std JESD22-C101-A)

500 V

источник 1

Configuration Register 1 Write - Die 0

60 h (00h 01h 00h 00h 01h)

источник 1

Notes

10. A

источник 2

Configuration Register 0 Write - Die 0

60 h (00h 01h 00h 00h 00h)

источник 1

Table 9-9

3.0 V (Power-Down Voltage and Timing[57])

источник 2

Die Manufacture Information Register C0h or E0h

01 h (02h 00h 00h 00h-11h)

источник 1

表 9-8

1.8 V (掉电电压及时序[57])

источник 1

Configuration Register 0 Read - Die 0 C0h or E0h

00 h (01h 00h 00h 00h)

источник 1

Identification Register 1 Read - Die 0[40] C0h or E0h

00 h (00h 00h 00h 01h)

источник 1

900 µA

+125 °C () Bottom 1/8 Array)

источник 1

Table 9-3

1.8 V (Capacitive Characteristics[50, 51, 52])

источник 2

Identification Register 1 Read - Die 1[40] C0h or E0h

01 h (00h 00h 00h 01h)

источник 1

HyperRAM (Self-Refresh DRAM)

3.0 V/1.8 V (, 128-Mbit, Automotive-E (Grade 1))

источник 2

HyperRAM（自刷新DRAM）

3.0 V/1.8 V (、128-Mbit、车规级-E（1 级）)

источник 1

Configuration Register 1 Write - Die 1

60 h (01h 01h 00h 00h 01h)

источник 1

Table 9-4

3.0 V (Capacitive Characteristics[50, 51, 52])

источник 2

ICC4P Current (-40 °C to

+125 °C () CS# = VCC, VCC = 3.6 V; Top 1/4 Array - - 1013 µA)

источник 1

Identification Register 0 Read - Die 0[40] C0h or E0h

00 h (00h 00h 00h 00h)

источник 1

Configuration Register 0 Write - Die 1

60 h (01h 01h 00h 00h 00h)

источник 1

Источники

1. restricted

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 表 9-3; C0h or E0h; Configuration Register 1 Read - Die 1 C0h or E0h; Configuration Register 1 Read - Die 0 C0h or E0h; 表 9-9; 表 9-4; Configuration Register 0 Read - Die 1 C0h or E0h; Current (-40 °C to Bottom 1/2 Array; Identification Register 0 Read - Die 1[40] C0h or E0h; 英 飞 凌 HyperRAM（ 自 刷 新 DRAM ）; 带电器件模型 ( JEDEC Std JESD22-C101-A); Configuration Register 1 Write - Die 0; Configuration Register 0 Write - Die 0; Die Manufacture Information Register C0h or E0h; 表 9-8; Configuration Register 0 Read - Die 0 C0h or E0h; Identification Register 1 Read - Die 0[40] C0h or E0h; - - 900 µA; Identification Register 1 Read - Die 1[40] C0h or E0h; HyperRAM（自刷新DRAM）; Configuration Register 1 Write - Die 1; ICC4P Current (-40 °C to; Identification Register 0 Read - Die 0[40] C0h or E0h; Configuration Register 0 Write - Die 1

2. restricted

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Table 9-8; Charged Device Model (JEDEC Std JESD22-C101-A); Notes; Table 9-9; Table 9-3; HyperRAM (Self-Refresh DRAM); Table 9-4