Product table test

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 1

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 1

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 2

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 2

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 2

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 1

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 2

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 1

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 2

Источники

1. Product table test

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 概要; 車載用MOSFET; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; バッテリー絶縁通信

2. Product table test

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Silicon carbide MOSFETs bare dies; Automotive MOSFET