PQFN 2x2

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 2

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 1

LL(ロジックレベル)

1 V (〜3V)

источник 1

SLL (Super logic level)

0.5 V - 1 V

источник 3

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 1

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 2

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 1

NL(ノーマルレベル)

2 V (〜4V)

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 2

NL (Normal level)

2 V - 4 V

источник 3

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 1

Low switching and drive losses

2.5 V (and 4.5 V gate drive options)

источник 3

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 2

LL (Logic level)

1 V - 3 V

источник 3

SLL(スーパーロジックレベル)

0.5 V (〜1V)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 2

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 1

Источники

1. PQFN 2x2

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: バッテリー絶縁通信; 概要; LL(ロジックレベル); シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; NL(ノーマルレベル); 車載用MOSFET; SLL(スーパーロジックレベル)

2. PQFN 2x2

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies

3. PQFN 2x2

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: SLL (Super logic level); NL (Normal level); Low switching and drive losses; LL (Logic level)