Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- TJ = 25 ° C
- 1 ms
- D.U.T. - DS
- 10 %
- produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)
- 60 % (less than a similar size SOT-23. This package is)
- TOP
- 15 V (TOP 15V)
- VG
- 10 V
- VGS VGS
- 3 mA (td(on) tr t d(off) tf)
Источники
- PD - 95762
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02
Где в источнике: TJ = 25 ° C; D.U.T. - DS; produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on); TOP; VG; VGS VGS