PD - 95476B

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

2.0V

-2.0 V

источник 1

produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)

60 % (less than a similar size SOT-23. This package is)

источник 1

3.5V

-3.5 V

источник 1

5.0V

-4.5 V

источник 1

2.7V

-2.7 V

источник 1

TOP

-7.5 V (-5.0V)

источник 1

I D , Drain-to-Source Current (A)

-4.5 V

источник 1

1.50V

-1.50 V

источник 1

l Surface Mount

-20 V (86mΩ@VGS = -4.5V -4.0A)

источник 1

reduction enables a current-handling increase of nearly

300 % (compared to the SOT-23.)

источник 1

3.0V

-3.0 V

источник 1

TJ = 25 ° C

10 ms

источник 1

Источники

1. PD - 95476B

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: -2.0V; produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on); -3.5V; -5.0V; -2.7V; TOP; -I D , Drain-to-Source Current (A); -1.50V; l Surface Mount; reduction enables a current-handling increase of nearly; -3.0V; TJ = 25 ° C