PD - 95359

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

TOP

7.50 V (TOP 7.50V)

источник 1

VGS

4.5 V (QGS QGD D.U.T.)

источник 1

VG

4.5 V

источник 1

VGS VGS

3 mA (td(on) tr t d(off) tf)

источник 1

reduction enables a current-handling increase of nearly

300 % (compared to the SOT-23.)

источник 1

produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)

60 % (less than a similar size SOT-23. This package is Micro6™)

источник 1

D.U.T. - DS

10 %

источник 1

Источники

1. PD - 95359

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: TOP; VGS; VG; VGS VGS; reduction enables a current-handling increase of nearly; produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on); D.U.T. - DS