Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)
- 60 % (less than a similar size SOT-23. This package is)
- TJ = 25°C
- 1 ms
- 3mA
- 90 %
- QG
- -4.5 V (VGS)
- .3µF
- 10 %
- 1.75V
- -1.75 V
- VG
- -4.5 V
Источники
- PD - 95224
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02
Где в источнике: produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on); TJ = 25°C; -3mA; QG; .3µF; -1.75V; VG