PD - 94896

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

V GS

-10 V (D.U.T.)

источник 1

3mA

90 %

источник 1

3.0V

-3.0 V

источник 1

produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)

60 % (less than a similar size SOT-23. This package is Micro6™)

источник 1

VG

-10 V

источник 1

.3µF

10 %

источник 1

TJ = 25°C

1 ms

источник 1

Источники

1. PD - 94896

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: V GS; -3mA; -3.0V; produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on); VG; .3µF; TJ = 25°C