Parallel NOR flash

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 2

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 2

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 2

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 2

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 2

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

Источники

1. Parallel NOR flash

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Silicon carbide MOSFETs bare dies; Automotive MOSFET

2. Parallel NOR flash

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 車載用MOSFET; 概要; バッテリー絶縁通信; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ