RoboMap
Модель

MOSFETs

Производитель: Infineon

70
характеристик
22
источников

О модели

MOSFETs - модель производителя Infineon.

70 характеристик приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 22 источников, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Details 1200 V CoolSiC™ MOSFET
1200 V (CoolSiC™ MOSFET)

источник 1

Tvj=175°C continuous
4 kV (& 6 kV isolation voltage)

источник 2

Overview
12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 3

Automotive CoolSiC™ MOSFET modules
1200 V (CoolSiC™ MOSFET)

источник 1

OptiMOS™ Linear FET
120 V (, 135 V and 150 V MOSFETs)

источник 4

View products
2300 V (Silicon Carbide MOSFETs Overview)

источник 5

DS(on)
100 % (avalanche testing)

источник 6

View products
2000 V (Silicon Carbide MOSFETs Overview)

источник 5

Product portfolio
45 V-80 V (N-channel product portfolio)

источник 7

Prevent parasitic turn-on
2300 V (functional isolation)

источник 8

CoolSiC™ MOSFETs Generation 2
2000 V (CoolSiC™ MOSFET)

источник 9

12 V input robustness
5 A (reverse current robustness)

источник 10

Key features
60 V (and 150 V options supporting 28 V and 54 V bus voltages)

источник 11

Wearout
100 % (wafer level probe)

источник 12

View products
45 V-80 V (N-channel power MOSFETs Overview)

источник 13

Key features
±5 A (source/sink currents)

источник 10

Product portfolio
85 V-300 V (N-channel product portfolio)

источник 4

View products
400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs Overview)

источник 5

Tin-mitigated plastic packaging
100 % (visually inspected bare die)

источник 6

OptiMOS™ and StrongIRFET™ family
20 V - 300 V

источник 13

View products
85 V-300 V (N-channel power MOSFETs Overview)

источник 13

Voltage classes
-30 V (and 150 V V)

источник 11

Power MOSFET
400 V

источник 14

Silicon carbide MOSFETs bare dies Overview
400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 5

OptiMOS™ 6
60 V

источник 7

Isolations
2300 V (functional isolation)

источник 8

TSC package
750 V (Silicon Carbide MOSFET benefits)

источник 15

Details 1700 V CoolSiC™ MOSFET
1700 V (CoolSiC™ MOSFET)

источник 16

Power MOSFET Bare Die
12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 13

and
3300 V

источник 5

Extremely low switching loss
12 V / 0 V (gate-source voltage compatible with fly-back controllers)

источник 16

View products
12 V-40 V (N-channel power MOSFETs Overview)

источник 13

Small signal/small power MOSFET
-250 V to -12 V

источник 3

View products
1200 V (Silicon Carbide MOSFETs Overview)

источник 5

Silicon carbide MOSFET discretes
400 V

источник 5

Find all
-20 V to -250 V (P-channel & 20 V to 600 V N-channel MOSFETs)

источник 17

CoolSiC™ MOSFET 750 V
750 V (Silicon Carbide MOSFET benefits)

источник 15

Key features
4.2 V (and 8 V UVLO options)

источник 18

概要
600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 19

Automotive MOSFET
30 V to 800 V

источник 3

View products
750 V (Silicon Carbide MOSFETs Overview)

источник 5

More about CoolSiC MOSFETS in discrete housings
400 V (CoolSiC™ MOSFET)

источник 14

Junction temperature range
-55°C to +175 °C

источник 11

= 4.5 V
100 % (avalanche tested)

источник 14

Overview
600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 3

N-channel MOSFETs Subfamilies
12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 3

Discrete CoolSiC™ MOSFET
1700 V (CoolSiC™ MOSFET)

источник 16

車載用MOSFET
30 V (～800 V)

источник 19

View products
3300 V (Silicon Carbide MOSFETs Overview)

источник 5

Details 650 V CoolSiC™ MOSFET
650 V (Silicon Carbide MOSFET details)

источник 20

Browse by category
12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 13

Details 2000 V CoolSiC™ MOSFET
2000 V (CoolSiC™ MOSFET)

источник 9

Key Features
-60 V (voltage class and 38 mΩ R)

источник 11

概要
650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 19

Propagation delay acc. +6/-4 ns
4 A (source driving capability)

источник 18

View products
1700 V (Silicon Carbide MOSFETs Overview)

источник 5

Silicon carbide MOSFETs bare dies
400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 3

Overview
12 V (high-side switches)

источник 3

Active output voltage clamping
-12 V (input robustness)

источник 10

Product portfolio
15 V-40 V (N-channel MOSFETs product portfolio)

источник 21

Silicon Carbide Bidirectional Switches
750 V (CoolSiC™ Bidirectional switch (BDS))

источник 5

バッテリー絶縁通信
12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 19

View products
650 V (Silicon Carbide MOSFETs Overview)

источник 5

概要
12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 19

High-voltage general-purpose MOSFETs
500 V-950 V (CoolMOS™ N-channel power MOSFET)

источник 22

Discover OptiMOS™ 7 15 V
25 V

источник 21

Additional information
400 V (CoolSiC™ MOSFET)

источник 14

Automotive MOSFET
30 V to 800 V (Overview)

источник 3

View products
500 V-950 V (CoolMOS™ N-channel power MOSFET Overview)

источник 13

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ
400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 19

Источники

  1. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Details 1200 V CoolSiC™ MOSFET; Automotive CoolSiC™ MOSFET modules

  2. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Tvj=175°C continuous

  3. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Overview; Small signal/small power MOSFET; Automotive MOSFET; N-channel MOSFETs Subfamilies; Silicon carbide MOSFETs bare dies

  4. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: OptiMOS™ Linear FET; Product portfolio

  5. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: View products; Silicon carbide MOSFETs bare dies Overview; and; Silicon carbide MOSFET discretes; Silicon Carbide Bidirectional Switches

  6. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: DS(on); Tin-mitigated plastic packaging

  7. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Product portfolio; OptiMOS™ 6

  8. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Prevent parasitic turn-on; Isolations

  9. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: CoolSiC™ MOSFETs Generation 2; Details 2000 V CoolSiC™ MOSFET

  10. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: -12 V input robustness; Key features; Active output voltage clamping

  11. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Key features:; Voltage classes; Junction temperature range; Key Features:

  12. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Wearout

  13. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: View products; OptiMOS™ and StrongIRFET™ family; Power MOSFET Bare Die; Browse by category

  14. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Power MOSFET; More about CoolSiC MOSFETS in discrete housings; = 4.5 V; Additional information

  15. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: TSC package; CoolSiC™ MOSFET 750 V

  16. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Details 1700 V CoolSiC™ MOSFET; Extremely low switching loss; Discrete CoolSiC™ MOSFET

  17. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Find all:

  18. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Key features; Propagation delay acc. +6/-4 ns

  19. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: 概要; 車載用MOSFET; バッテリー絶縁通信; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

  20. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Details 650 V CoolSiC™ MOSFET

  21. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Product portfolio; Discover OptiMOS™ 7 15 V

  22. MOSFETs

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: High-voltage general-purpose MOSFETs

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.