iSSI20B02F iSSI20B03F and iSSI20B11F

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

IPB083N15N5LF

150 V (, 8.3 mΩ MOSFET in D2PAK (PG-TO263-3))

источник 1

tTS,filter

2.5 V

источник 1

IPB020N10N5LF

100 V (, 2.0 mΩ MOSFET in D2PAK 7pin (TO-263 7pin))

источник 1

I VCC1, typ

16 mA

источник 1

C1

3.3 V (C1 C1)

источник 1

BUF

1 V (BUF 1V)

источник 1

CoolMOS™ S7 IPT60R065S7 /

600 V (, 65 mΩ MOSFET in TO-leadless (HSOF-8) / incl. integrated)

источник 1

IPT013N08NM5LF

80 V (, 1.3 mΩ MOSFET in TO-leadless (HSOF-8))

источник 1

OUT

1 V

источник 1

tCS,filter

2.5 V

источник 1

OUT

1 V (OUT 1V)

источник 1

sensor IPT60R022S7 /

600 V (, 22 mΩ MOSFET in TO-leadless (HSOF-8) / incl. integrated)

источник 1

IPQC60R022S7 /

600 V (, 22 mΩ MOSFET in QDPAK bottom-side cooled package)

источник 1

iSSI20x11x

3.3 V (VCC1 T1)

источник 1

IPDQ60R022S7 /

600 V (, 22 mΩ MOSFET in QDPAK top-side cooled package (HDSOP) /)

источник 1

CS

12 V

источник 1

MCU

3.3 V (MCU 3.3 V)

источник 1

IPB033N10N5LF

100 V (, 3.3 mΩ MOSFET in D2PAK (PG-TO263-3))

источник 1

TS

12 V

источник 1

OptiMOS™ Linear IPT008N06NM5LF

60 V (, 0.8 mΩ MOSFET in TO-leadless (HSOF-8))

источник 1

IPDQ60R065S7

600 V (, 65 mΩ MOSFET in QDPAK top-side cooled package (HDSOP))

источник 1

IPB110N20N3LF

200 V (, 11 mΩ MOSFET in D2PAK (PG-TO263-3))

источник 1

IN IN

3.3 V (C1)

источник 1

Clamp control

3.3 V

источник 1

IPT60R040S7 /

600 V (, 40 mΩ MOSFET in TO-leadless (HSOF-8) / incl. integrated)

источник 1

IPB048N15N5LF

150 V (, 4.8 mΩ MOSFET in D2PAK (PG-TO263-3))

источник 1

P1.x

3.3 V (iSSI20B03F R1 iSSI20B03F)

источник 1

IPDQ60R040S7

600 V (, 40 mΩ MOSFET in QDPAK top-side cooled package (HDSOP))

источник 1

C3

3.3 V (MC T1)

источник 1

CBUF, min = 1.2 ⋅

10 V (− 7 V)

источник 1

IPB017N10N5LF

100 V (, 1.7 mΩ MOSFET in D2PAK 7pin (TO-263 7pin))

источник 1

current

5 V

источник 1

Источники

1. iSSI20B02F, iSSI20B03F and iSSI20B11F

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: IPB083N15N5LF; tTS,filter; IPB020N10N5LF; I VCC1, typ; C1; BUF; CoolMOS™ S7 IPT60R065S7 /; IPT013N08NM5LF; OUT; tCS,filter; sensor IPT60R022S7 /; IPQC60R022S7 /; iSSI20x11x; IPDQ60R022S7 /; CS; MCU; IPB033N10N5LF; TS; OptiMOS™ Linear IPT008N06NM5LF; IPDQ60R065S7; IPB110N20N3LF; IN IN; Clamp control; IPT60R040S7 /; IPB048N15N5LF; P1.x; IPDQ60R040S7; C3; CBUF, min = 1.2 ⋅; IPB017N10N5LF; current