Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- l Control MOSFET for Isolated DC-DC
- 30 V (8.7mΩ@VGS = 10V 8.3nC)
- BOTTOM
- 2.3 V (BOTTOM 2.3V)
- RD
- 15 V
- Tj = 25°C
- 5.0 V (Tj = 150°C 5.0V)
- IR WORLD HEADQUARTERS
- 101 N (. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA)
- TOP
- 10 V (TOP 10V)
- tp
- 90 %
Источники
- IRFH7914PbF
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02
Где в источнике: l Control MOSFET for Isolated DC-DC; BOTTOM; RD; Tj = 25°C; IR WORLD HEADQUARTERS; TOP; tp