Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- VDS
- 90 %
- VGS
- 10 %
- Final Data Sheet 13 Rev.2.2,2016-06-13
- 500 V (CoolMOSªCEPowerTransistor)
- MOSFET
- 500 V (CoolMOSªCEPowerTransistor PG-TO247 PG-TO220)
Источники
- IPW50R190CE,IPP50R190CE
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: VDS; VGS; Final Data Sheet 13 Rev.2.2,2016-06-13; MOSFET