Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- MOSFET
- 600 V (CoolMOSªCEPowerTransistor PG-SOT223)
- VDS
- 90 %
- Final Data Sheet 12 Rev.2.0,2016-04-29
- 600 V (CoolMOSªCEPowerTransistor)
- VGS
- 10 %
Источники
- IPN60R3K4CE
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: MOSFET; VDS; Final Data Sheet 12 Rev.2.0,2016-04-29; VGS