К содержанию

Модель

IPN50R2K0CE

Производитель: Infineon

4
характеристик: 1
источников

О модели

IPN50R2K0CE - модель производителя Infineon.

4 характеристики приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 1 источника, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность: нет данных
Вылет: нет данных
Повторяемость позиционирования: нет данных
Масса: нет данных
Степень защиты: нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

VDS: 90 %
источник 1
MOSFET: 500 V (CoolMOSªCEPowerTransistor PG-SOT223)
источник 1
VGS: 10 %
источник 1
Final Data Sheet 12 Rev.2.1,2016-06-13: 500 V (CoolMOSªCEPowerTransistor)
источник 1

Источники

IPN50R2K0CE
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

Где в источнике: VDS; MOSFET; VGS; Final Data Sheet 12 Rev.2.1,2016-06-13

Производитель и семейство

Производитель: Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.