Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- VDS
- 90 %
- MOSFET
- 650 V (CoolMOSªC7PowerTransistor ThinPAK8x8)
- Final Data Sheet 13 Rev.2.1,2017-08-29
- 650 V (CoolMOSªC7PowerTransistor)
- VGS
- 10 %
Источники
- IPL65R195C7
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: VDS; MOSFET; Final Data Sheet 13 Rev.2.1,2017-08-29; VGS