Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- VGS
- 10 %
- VDS
- 90 %
- MOSFET
- 600 V (CoolMOSªCEPowerTransistor DPAK PG-TO220FP)
- Final Data Sheet 15 Rev.2.3, 20180410
- 600 V (CoolMOSªCEPowerTransistor)
Источники
- IPD60R650CE,IPA60R650CE
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: VGS; VDS; MOSFET; Final Data Sheet 15 Rev.2.3, 20180410