Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- MOSFET
- 600 V (CoolMOSªCEPowerTransistor DPAK IPAK)
- ID[A]
- 6 V
- VGS
- 10 %
- Final Data Sheet 13 2016-03-31
- 600 V (CoolMOSªCEPowerTransistor)
- VDS
- 90 %
Источники
- IPD60R1K0CE,IPU60R1K0CE
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: MOSFET; ID[A]; VGS; Final Data Sheet 13 2016-03-31; VDS