Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- VDS
- 90 %
- Final Data Sheet 12 Rev.2.3,2016-06-13
- 500 V (CoolMOSªCEPowerTransistor)
- VGS
- 10 %
- MOSFET
- 500 V (CoolMOSªCEPowerTransistor DPAK)
Источники
- IPD50R650CE
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: VDS; Final Data Sheet 12 Rev.2.3,2016-06-13; VGS; MOSFET