Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- single pulse
- 10 ms
- Final Data Sheet 13 Rev.2.3,2016-06-13
- 500 V (CoolMOSªCEPowerTransistor)
- VDS
- 90 %
- VGS
- 10 %
- MOSFET
- 500 V (CoolMOSªCEPowerTransistor DPAK IPAK)
Источники
- IPD50R2K0CE,IPU50R2K0CE
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: single pulse; Final Data Sheet 13 Rev.2.3,2016-06-13; VDS; VGS; MOSFET