Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- MOSFET
- 650 V (CoolMOS™CEPowerTransistor PG-TO220FP)
- VGS
- 10 %
- ID[A]
- 6 V
- VDS
- 90 %
Источники
- IPAN65R650CE
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: MOSFET; VGS; ID[A]; VDS