IM111-X6Q1B

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

HIN

2.1 V

источник 1

HBM

±2 kV (, Class 2, per ANSI/ESDA/JEDEC JESD22-A114F standard)

источник 1

LIN

0.9 V

источник 1

Isolation voltage1 VISO

1 min (, RMS, f = 60Hz 1500 V)

источник 2

propagation delay

5 V

источник 1

ESD CDM

±2 kV (, Class C3, per ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 standard)

источник 1

toff ton

10 %

источник 1

VISO

1 min (, RMS, f = 60Hz 1500 V)

источник 1

B-constant B

±1 % (tolerance - 4006 - K)

источник 1

欠压检测运行时，电源上升阈值典型值为 VBSUV+ =

8.9 V (，下降阈值典型值为 VBSUV- = 7.7V。)

источник 2

Источники

1. IM111-X6Q1B

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: HIN; HBM; LIN; propagation delay; ESD CDM; toff ton; VISO; B-constant B

2. IM111-X6Q1B

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Isolation voltage1 VISO; 欠压检测运行时，电源上升阈值典型值为 VBSUV+ =