IHV 3300 V

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 2

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 2

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 2

IHV 3300 V

3.3 kV

источник 3

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 2

IHV 3300 V

3.3 kV (IHV IGBTモジュール – 要求の厳しい鉄道および産業アプリケーション向けの信頼性の高い性能の選択肢)

источник 2

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 2

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 2

Источники

1. IHV 3300 V

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies

2. IHV 3300 V

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; 車載用MOSFET; バッテリー絶縁通信; 概要; IHV 3300 V

3. IHV 3300 V

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: IHV 3300 V