Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- 5V
- -4 V (VGS)
- IGLD60R190D1
- 600 V (CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor)
- 3V
- -2 V (-1V 0V -5V -4V -3V -2V -1V 0V VGS)
Источники
- IGLD60R190D1
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: -5V; IGLD60R190D1; -3V