К содержанию

Модель

IGBT7 discretes

Производитель: Infineon

5
характеристик: 1
источников

О модели

IGBT7 discretes - модель производителя Infineon.

5 характеристик приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 1 источника, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность: нет данных
Вылет: нет данных
Повторяемость позиционирования: нет данных
Масса: нет данных
Степень защиты: нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Automotive MOSFET: 30 V to 800 V
источник 1
Silicon carbide MOSFETs bare dies: 400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)
источник 1
Overview: 600 V/1200 V (ultra-soft diodes)
источник 1
Overview: 12 V (high-side switches)
источник 1
Overview: 12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)
источник 1

Источники

IGBT7 discretes
страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

Где в источнике: Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies; Overview

Производитель и семейство

Производитель: Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.