High-reliability power conversion and management

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Wearout

100 % (wafer-level probe)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

High-reliability power MOSFETs

-200 V to 1000 V (power MOSFETs in hermetic packaging)

источник 1

High-reliability power ICs

400 V to 600 V (high-speed, high-power MOSFET and IGBT gate drivers)

источник 1

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

Источники

1. High-reliability power conversion and management

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Wearout; Silicon carbide MOSFETs bare dies; Overview; High-reliability power MOSFETs:; High-reliability power ICs:; Automotive MOSFET