High-performance page mode

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 2

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 2

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 2

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 2

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 2

Источники

1. High-performance page mode

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies

2. High-performance page mode

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 車載用MOSFET; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; 概要; バッテリー絶縁通信