Gate driver ICs

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Voltages

1200 V (, 650 V, <200 V)

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 2

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 2

Overview

12 V (high-side switches)

источник 2

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 2

Key Features

18 A (rail-to-rail output current)

источник 3

Источники

1. Gate driver ICs

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Voltages

2. Gate driver ICs

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies

3. Gate driver ICs

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Key Features