GaN with integrated driver

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

An industry game-changer

300 mm (power GaN technology)

источник 2

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

Источники

1. GaN with integrated driver

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies

2. GaN with integrated driver

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: An industry game-changer