GaN transistors (GaN HEMTs)

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

Continuous current

4 A – 100 A (:)

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

Источники

1. GaN transistors (GaN HEMTs)

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies; Continuous current