GaN smart

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

An industry game-changer

300 mm (power GaN technology)

источник 1

Ease of PCB design

2 kV (ESD)

источник 1

Источники

1. GaN smart

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies; An industry game-changer; Ease of PCB design