GaN bare dies

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

An industry game-changer

300 mm (power GaN technology)

источник 1

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

Источники

1. GaN bare dies

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Silicon carbide MOSFETs bare dies; An industry game-changer; Automotive MOSFET