Evaluation Board Finder

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 1

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 1

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 2

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 1

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 2

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 2

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 2

Источники

1. Evaluation Board Finder

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: バッテリー絶縁通信; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; 車載用MOSFET; 概要

2. Evaluation Board Finder

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies