Eicedriver compact 300 mil

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 1

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 2

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 1

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 1

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 1

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 2

Overview

12 V (high-side switches)

источник 2

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 2

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 1

Источники

1. Eicedriver compact 300 mil

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 車載用MOSFET; 概要; バッテリー絶縁通信; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

2. Eicedriver compact 300 mil

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Silicon carbide MOSFETs bare dies; Automotive MOSFET