DIGITAL AUDIO MOSFET

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

TOP

15 V (TOP 15V)

источник 1

TJ max

175 °C

источник 2

TOP

1.5 A

источник 3

IAS A

20 V

источник 3

BOTTOM

7.0 V

источник 3

BOTTOM

7.0 V (10)

источник 3

ID, Drain-to-Source Current (A)

8.0 V

источник 3

V(BR)DSS

150 V

источник 2

TOP

15 V (7.0V)

источник 3

BOTTOM

7.0 V (BOTTOM 7.0V)

источник 1

TOP 15V 7.0V

10 V

источник 3

TOP

15 V

источник 3

V(BR)DSS

200 V

источник 4

TOP 15V

10 V

источник 3

IR WORLD HEADQUARTERS

101 N (. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA)

источник 3

EAS , Single Pulse Avalanche Energy (mJ)

3.7 A

источник 1

Источники

1. DIGITAL AUDIO MOSFET

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: TOP; BOTTOM; EAS , Single Pulse Avalanche Energy (mJ)

2. DIGITAL AUDIO MOSFET

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: TJ max; V(BR)DSS

3. DIGITAL AUDIO MOSFET

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: TOP; IAS A; BOTTOM; ID, Drain-to-Source Current (A); TOP 15V 7.0V; TOP 15V; IR WORLD HEADQUARTERS

4. DIGITAL AUDIO MOSFET

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: V(BR)DSS