Cypress Semiconductor

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Charge Device Model (ESD-CDM)

1000 V

источник 1

Free Phosphorus contents in top glass layer(%)

0 %

источник 2

High Accelerated Saturation Test

130 °C (, 85%RH, 3.63V P)

источник 3

Thermal Resistance Theta JA °C/W

17.6 °C (/W)

источник 4

Package

≤100 L (-TQFP (≤ 14 x 14 x 1) Page 3 of 4)

источник 5

Human Body Model (ESD-HBM)

2,200 V

источник 2

Passivation Type and Materials

7000 A (TEOS + 6000A Si2N4)

источник 2

Thermal Resistance Theta JA °C/W

60 °C (/W)

источник 6

Fault Coverage

100 %

источник 4

High Accelerated Saturation Test

130°C/5.5 V (P)

источник 5

Human Body Model (ESD-HBM)

4,400 V

источник 3

Device Description

3.3 V

источник 7

Oxygen Rating Index

>28 %

источник 4

Thermal Resistance Theta JA °C/W

42 °C (/W)

источник 6

Thermal Resistance Theta JA °C/W

16.8 °C (/W)

источник 4

Thermal Resistance Theta JA °C/W

29.9 °C (/W)

источник 4

Bias

5.5 V (, 130°C, 85%RH)

источник 6

Package

≤100 L (-TQFP (≤ 14 x 14 x 1) Page 2 of 4)

источник 5

Thermal Resistance Theta JA °C/W

45 °C (/W)

источник 6

High Accelerated Saturation Test

140 °C (, 85%RH, 5.5V P)

источник 1

Thermal Resistance Theta JA °C/W

39.9 °C (/W)

источник 7

Package

≤100 L (-TQFP (≤ 14 x 14 x 1) Page 4 of 4)

источник 5

High Accelerated Saturation

130°C/1.98 V (, 85%RH P)

источник 4

Electrostatic Discharge

500 V (P)

источник 4

Charge Device Model (ESD-CDM)

500 V

источник 2

Источники

1. Cypress Semiconductor

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Charge Device Model (ESD-CDM); High Accelerated Saturation Test

2. Cypress Semiconductor

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Free Phosphorus contents in top glass layer(%); Human Body Model (ESD-HBM); Passivation Type and Materials; Charge Device Model (ESD-CDM)

3. Cypress Semiconductor

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: High Accelerated Saturation Test; Human Body Model (ESD-HBM)

4. Cypress Semiconductor

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Thermal Resistance Theta JA °C/W; Fault Coverage; Oxygen Rating Index; High Accelerated Saturation; Electrostatic Discharge

5. Cypress Semiconductor

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Package; High Accelerated Saturation Test

6. Cypress Semiconductor

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Thermal Resistance Theta JA °C/W; Bias

7. Cypress Semiconductor

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Device Description; Thermal Resistance Theta JA °C/W